1) nonlinear propagation
非线性光传输
1.
Analytical derivation on entropy representing nonlinear propagation of light;
用熵描述非线性光传输的解析分析
2.
Numerical calculation on entropy representing nonlinear propagation of light;
用熵描述非线性光传输的数字模拟解
4) NLTL
非线性传输线
1.
In this paper,the theory of Nonlinear Transmission-Line(NLTL)frequency multiplier was discussed and the complete model of it was given.
介绍了非线性传输线的倍频原理,建立了一种完整的倍频器电路模型。
2.
Then severalkinds of broadband frequency multipliers were given, and the theory of NLTL(nonlineartransmission line) frequency multiplier and balance frequency multiplier by two anti-parallel connection diodes were discussed in detail .
同时,给出了常见宽带倍频器电路的实现形式,详细分析了非线性传输线倍频原理和反并联二极管对平衡式倍频原理。
5) nonlinear transmission line
非线性传输线
1.
A nonlinear transmission line (NLTL) has been novelly used to speed up the rise time of high voltage (3 kV) pulses generated from a GaAs photoconductive switch.
用非线性传输线（ＮＬＴＬ）压缩纳秒光电导开关输出电压脉冲的上升时间，获得３ｋＶ，小于４００ｐｓ上升沿的高压冲击波脉冲。
2.
Based on these theories, a 360GHz balance frequency tripler, a 360GHz frequency tripler using single diode with two kinds of structure and nonlinear transmission line frequency tripler in Ka-band are designed.
详细介绍了谐波平衡理论,反向并联的二极管对平衡式倍频原理,和非线性传输线倍频原理。
3.
This paper introduced soliton phenomena in nonlinear transmission line,analyzed the principle of electrical soliton and electrical soliton oscillator,and also gave a simulation experiment under the restrictions of bandwidth and emission power permitted by Federal Communications Commission(FCC).
介绍了孤子现象和非线性传输线路,分析了电孤子的产生和电孤子振荡器的原理。
6) Non-Line-of-Sight(NLOS) light propagation
非视线光传输
1.
The Non-Line-of-Sight(NLOS) light propagation model based on Monte Carlo(MC) method was described.
基于蒙特卡罗(Monte Carlo)方法建立了非视线光传输多次散射模型,引入大气光传输系统脉冲响应峰值大小,定量计算了单次散射近似研究非视线光传输时的误差大小。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条