1) Czochralski single crystals
直拉单晶
2) Czochralski silicon
直拉单晶硅
1.
The cost of nitrogen-doped Czochralski silicon is lower than that of the Czochralski silicon.
掺氮直拉单晶硅的成本比普通直拉单晶硅的成本要低,掺氮直拉单晶硅的机械强度比普通直拉单晶硅的高,太阳电池片可以做的更薄,这些都有利于降低太阳电池的成本。
3) Czochralski crystal growing furnace
直拉单晶炉
4) NCZ-Si
掺氮直拉单晶硅
5) CZSi
直拉硅
1.
FTIR Sudy on V_2 Defect in Fast Neutron Irradiated CZSi;
快中子辐照直拉硅中V_2的FTIR研究
2.
INVESTIGATION ON OXYGEN PRECIPITATION IN NCZSi;
氮气氛直拉硅中氧沉淀的研究
3.
Control and Utilization of Defect for CZSi Wafer;
直拉硅片杂质缺陷的控制与利用
6) czochralski method
直拉法
参考词条
补充资料：直拉砷化镓单晶
分子式：
CAS号：
性质：采用直拉技术生长的砷化镓单晶。占砷化镓单晶总量的30％～40％，用三氧化二硼作覆盖剂，用氮气控制炉内压力在0.1～0.3MPa范围。有不同掺杂浓度的p型(一般掺锌)、n型(一般掺碲)和半绝缘(非掺杂或掺铬)材料。制备工艺特点为生长速度快，易于直接拉制出所需晶向的圆柱形单晶，位错密度一般为104cm-2。用于超高速大规模集成电路器件、窗口材料和光电器件。
CAS号：
性质：采用直拉技术生长的砷化镓单晶。占砷化镓单晶总量的30％～40％，用三氧化二硼作覆盖剂，用氮气控制炉内压力在0.1～0.3MPa范围。有不同掺杂浓度的p型(一般掺锌)、n型(一般掺碲)和半绝缘(非掺杂或掺铬)材料。制备工艺特点为生长速度快，易于直接拉制出所需晶向的圆柱形单晶，位错密度一般为104cm-2。用于超高速大规模集成电路器件、窗口材料和光电器件。
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