1) CZ
直拉法（CZ）
2) CZSi
直拉硅
1.
FTIR Sudy on V_2 Defect in Fast Neutron Irradiated CZSi;
快中子辐照直拉硅中V_2的FTIR研究
2.
INVESTIGATION ON OXYGEN PRECIPITATION IN NCZSi;
氮气氛直拉硅中氧沉淀的研究
3.
Control and Utilization of Defect for CZSi Wafer;
直拉硅片杂质缺陷的控制与利用
3) czochralski method
直拉法
4) direct pulling experiment
直拉试验
5) czochralski
直拉法
1.
Algorithm for Crystal-Profile Control for Czochralski Crystal Growth;
直拉法晶体生长的晶体形状控制算法
2.
Technology of measureing diameter in the Czochralski pulling;
直拉法单晶制造中的直径检测技术
6) CZ
直拉法
1.
The CZSiGe crystal samples with different Ge concentration were measured by means of UV/VIS Spectrometer Lambda20.
采用近红外分光光度仪(UV/VIS)测试了直拉法生长的掺杂不同Ge浓度的硅单晶样品,得到了不同锗浓度下1000-2000nm波长范围内样品的透射率和反射率,利用相关公式计算出单晶的光学吸收系数,根据吸收系数与单晶禁带宽度的关系式作图,得到了不同锗浓度样品的禁带宽度值。
参考词条
补充资料：直拉(CZ)生长中的硅单晶
直拉(CZ)生长中的硅单晶
卿 直件以一Z)月几、山，卜月，’.户·‘手
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。