1) amorphous silicon thin-film transistor (a-Si:H TFT)
非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)
3) thin film transistor (TFT)
薄膜晶体管(TFT)
4) crystalline-silicon TFT
水晶硅TFT
5) polycrystalline silicon (poly-Si) thin film transistors (TFTs)
多晶硅TFT
1.
Device degradation of solution-based metal-induced laterally crystallized (MILC) p-type polycrystalline silicon (poly-Si) thin film transistors (TFTs) is studied under dc bias stresses.
晶粒间界(Grain Boundary, GB)缺陷态的产生和NBTI退化具有相同的时间幂指数n,表明了在多晶硅TFT的退化中晶界缺陷态的产生起着关键作用。
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
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参考词条