1) non-uniformly doped channel
沟道非均匀掺杂
2) non-uniform
非均匀掺杂
1.
A novel approximation of the two-dimensional(2D)potential function perpendicular to the channel is proposed,and then an analytical threshold voltage model for a fully depleted SOI-MOSFET with a non-uniform Gaussian distribution doping profile is given based on this approximation.
对垂直于沟道的二维电势分布函数提出了一种新的近似,给出了基于这种近似的杂质浓度呈高斯分布的非均匀掺杂全耗尽SOI-MOSFET的阈值电压解析模型。
3) nonuniformly doped channel
非均匀沟道
4) nonuniform dopant concentration
非均匀掺杂光纤
1.
A novel method, namely nonuniform dopant concentration fiber, is investigated, with that SBS threshold power of lightwave CATV systems can be increased.
本文研究了光CATV传输系统中提高受激布里渊阈值功率的一种方法———非均匀掺杂光纤法 。
6) nonuniform channel MOS
非均匀沟道MOS
1.
Mobility model of nonuniform channel MOS by radiation induced positive spatial charge;
非均匀沟道MOS辐照正空间电荷迁移率模型
补充资料：非均匀表面
分子式：
CAS号：
性质：实际的固体表面。所有实际的固体表面都不是完全均匀的，如晶格结构会发生缺陷、催化剂的活性组分以大小不同的原子簇的方式分布在表面上，构成活性不一样的活性点，相应的吸附热的大小也是不同的。
CAS号：
性质：实际的固体表面。所有实际的固体表面都不是完全均匀的，如晶格结构会发生缺陷、催化剂的活性组分以大小不同的原子簇的方式分布在表面上，构成活性不一样的活性点，相应的吸附热的大小也是不同的。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条