1) uniform doping
均匀掺杂
1.
Al_2O_3-Fe_2O_3 nano-composites were prepared by sol-gel with uniform doping and surface coat- ing,and the phases of samples were investigated by XRD,the effect of preparation means on the structure of nano-composite were presented.
采用溶胶-凝胶法均匀掺杂和表面包覆工艺制备了Al_2O_3-Fe_2O_3,复合材料,利用X射线衍射对样品的物相进行了测试分析,研究了制备方法对样品结构的影响。
2) non-uniform
非均匀掺杂
1.
A novel approximation of the two-dimensional(2D)potential function perpendicular to the channel is proposed,and then an analytical threshold voltage model for a fully depleted SOI-MOSFET with a non-uniform Gaussian distribution doping profile is given based on this approximation.
对垂直于沟道的二维电势分布函数提出了一种新的近似,给出了基于这种近似的杂质浓度呈高斯分布的非均匀掺杂全耗尽SOI-MOSFET的阈值电压解析模型。
3) nonuniform dopant concentration
非均匀掺杂光纤
1.
A novel method, namely nonuniform dopant concentration fiber, is investigated, with that SBS threshold power of lightwave CATV systems can be increased.
本文研究了光CATV传输系统中提高受激布里渊阈值功率的一种方法———非均匀掺杂光纤法 。
5) non-uniformly doped channel
沟道非均匀掺杂
6) uniform recombination
均匀杂交
1.
What’s more,aiming at enhancing the diversity of population and ultimately getting the global solution,QMSGA also introduces the strategy of Guo’s algorithm,uniform recombination as well as th.
它的特点在于:模拟自然界中蜂王的交配方法,并引入均匀杂交和平均矢量偏差变异因子策略来达到种群分布的多样性,最终求出复杂优化问题的全局最优解。
补充资料：半导体材料掺杂
半导体材料掺杂
doping for semiconductor material
bondootl Col}{00 ehonzo半导体材料掺杂(doping for semiconduCtormaterial)对材料掺入特定的杂质以取得预期的物理性能与参数的半导体材料制备方法，在大多数情况下，是使用掺杂后的半导体材料进行器件制备。掺杂的具体目的有:(l)获得预期的导电类型，如p型掺杂或n型(见半导体材料导电机理)掺杂;(2)获得预期的电阻率、载流子浓度(见半导体材料导电机理)，如重掺单晶(见简并半导体)、半绝缘砷化稼的制备;(3)获得低的少子寿命(见半导体材料导电机理)，如锗中掺金;(4)获得晶体的良好力学性能，如硅中掺氮;(5)提高发光效率，改变发光波长，如磷化稼中掺氮、掺氧(见发光用半导体材料);(6)形成低维材料及超晶格(见半导体超晶格);(7)调整晶格匹配，如硅中掺锡。 对掺杂的要求主要是:精度、均匀性、分布空间。掺杂的方法有熔体掺杂、气相掺杂、中子擅变掺杂、离子注入掺杂、表面涂覆掺杂(见区熔硅单晶)。掺杂是在半导体材料制备过程的某一个或几个工序中进行，大多数是在单晶拉制过程中进行掺杂，薄膜材料则在薄膜制备过程中进行掺杂，而中子擅变掺杂、离子注入掺杂则离开晶体制备而成为独立的工序。 (万群)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条