1) nanocrystalline silicon (nc-Si)
纳米晶硅(nc-Si)
2) hydrogenated nano-crystalline silicon thin films
氢化纳米硅(nc-Si,H)薄膜
4) Si nanocrystals
Si纳米晶
1.
In this thesis, Si nanocrystals were obtained by reactive sputtering and thermal activated reaction, and its photoluminescence properties, microstructure, phase structure and surface bond structure were measured and analyzed.
本论文分别采用了反应溅射法和热活性法两种途径制备Si纳米晶,对其光致发光性能、微观组织、相结构和表面价键进行了分析,并对纳米晶的发光机理进行研究。
5) Si nanoparticles
纳米Si晶粒
1.
Determination of the region where Si nanoparticles form during pulsed laser ablation;
脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒成核区位置的确定
2.
Influence of the ambient pressure of Ar on the average size of Si nanoparticles deposited by pulsed laser ablation;
Ar环境气压对脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒平均尺寸的影响
3.
Relation between target-substrate separation and size-uniformity of Si nanoparticles prepared by laser ablation;
激光烧蚀制备纳米Si晶粒尺寸均匀性与靶衬间距的关系
6) nanocrystalline silicon
纳米晶硅
1.
Nanocrystalline silicon (nc Si) clusters can be formed by rapid thermal annealingthe hydrogenated amorphous silicon (a Si∶H) films at 600～620℃ for about 10s.
本文报道对氢化非晶硅 ( a-Si∶H)薄膜在 6 0 0～ 6 2 0℃温度下快速退火 1 0 s可以形成纳米晶硅 ( nc-Si) ,其 Raman散射表明 ,在所形成的 nc-Si在薄膜中的分布是随机的 ,直径在 1 。
2.
The nanocrystalline silicon clusters formed in thermally annealed a-Si:H films and the potoluminescence;
报道了氢化非晶硅薄膜在600-620℃温度下快速退火10 s可以形成纳米晶硅,其拉曼散射表明,所形成的纳米晶硅在薄膜中的分布是随机的,其直径在1。
补充资料：纳米晶硅
分子式：
CAS号：
性质：又称纳米晶硅。晶粒在10nm左右的多晶硅材料。其性质不同于大晶粒多晶硅，又不同于非晶硅。带隙可达2.4eV(晶体硅为1.12eV)，电子和空穴迁移率均高于非晶硅两个数量级以上。光吸收系数介于晶体硅和非晶硅之间。采用辉光放电化学气相沉积法，减压化学沉积法，磁控溅射法，非晶硅热处理法等制备。可用作太阳电池窗口材料、异质结双极型晶体管、薄膜晶体管等。
CAS号：
性质：又称纳米晶硅。晶粒在10nm左右的多晶硅材料。其性质不同于大晶粒多晶硅，又不同于非晶硅。带隙可达2.4eV(晶体硅为1.12eV)，电子和空穴迁移率均高于非晶硅两个数量级以上。光吸收系数介于晶体硅和非晶硅之间。采用辉光放电化学气相沉积法，减压化学沉积法，磁控溅射法，非晶硅热处理法等制备。可用作太阳电池窗口材料、异质结双极型晶体管、薄膜晶体管等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条