1) RF high power LDMOS
射频大功率LDMOS
1.
RF high power LDMOS, based on the traditional LDMOS, is the preferred device used in the RF amplifier of 3G base stations because of its high oper.
基于其上的射频大功率LDMOS由于具有P、L波段以上的工作频率和高的性价比而成为3G手机基站射频放大器的首选器件。
2) RF power LDMOS
射频功率LDMOS
1.
A RF power LDMOS with a trench drift region is optimally designed.
对射频功率LDMOS槽形漂移区的结构进行了优化设计。
2.
A novel buried n layer partial SOI RF power LDMOS is proposed.
提出了具有n埋层PSOI(部分SOI)结构的射频功率LDMOS器件。
3.
A novel n-buried-pSOI sandwiched structure for an RF power LDMOS is p roposed.
提出了具有n埋层pSOI三明治结构的射频功率LDMOS器件。
3) LDMOS
LDMOS功率
1.
Design and Fabrication of LDMOS Power Device on SOI Substrate;
SOI LDMOS功率器件的研究与制备
4) high voltage power LDMOS
高压功率LDMOS
1.
An analysis of threshold voltage temperature coefficient for high voltage power LDMOS;
高压功率LDMOS阈值电压温度系数的分析
5) Power MOS device
功率LDMOS器件
6) RF Power Amplifier
射频功率放大器
1.
Principle and maintenance of RF Power Amplifier of Philips MR-NT15;
飞利浦NT15磁共振射频功率放大器的原理及维修
2.
Study on the RF Power Amplifier s Nonlinear Characteristic;
射频功率放大器的非线性研究
3.
It mainly consists of pulse width modulation controller, RF power amplifier and coagulation modulator.
介绍一种采用脉宽调制技术控制的高频电刀功率放大器 ,主要由脉宽调制控制电路 ,射频功率放大器和混合波调制器组成 ,它能使射频输出功率保持相对恒定。
补充资料：大功率电力电子器件
大功率电力电子器件
power electronic devices
dagonglU dlonl一d.Qnz一ql]lon大功率电力电子器件(powe:eleetroniedevices)用于处理大容t电功率、能够控制电路通断的电子器件。由于都是半导体器件，故又称电力半导体器件(power semieonduetor deviees)。电力半导体器件是在20世纪50年代初发展起来的半导体学科中与徽电子、光电子并肩迅猛发展的一门高技术。它是电力电子技术的基础和重要组成部分。随着电力半导体器件品种的增多和技术水平的提高，它的应用范围也日渐扩大。其应用范围涉及电力工业(如直流愉电、灵活交流粉电系统)、工业电源(如感应加热、电焊机、大型电解电被设备)、交通运物(如机车牵引、电动汽车)、电机控制(如发电机励磁、交直流电动机的调速)、家用电器(如空调、电热)、通信电源等等。应用领城的佑求(如节能、节材、缩小体积重且)，要求器件的工作叔率、结构以及封装方式等不断扩大及更新，又促进了器件品种和水平的发展。 由于电力半导体器件处理的是能源，减少损耗提高效率是它主要追求的目标.为此，所有电力半导体器件无不工作在开关方式下，这是它与徽电子器件的根本区别.但在组成电路时又需要采取措施对开关方式带来的波形毛刺及谐波等电网公害进行处理。 1947年第一只晶体管的诞生开始了半导体电子学的新纪元。1956年研制成带有开关特性的晶闸管，为半导体在功率控制领域的发展显示了光明的前景。最早发展起来的器件有整流二极管(rectifier diode)和晶闸管(t ransistor)。它们曾经主宰电力电子市场20余年.其品种、规格为了适应市场的需要已经发展成一个魔大的系列。以晶闸管为例，已经派生出高压大电流晶闸管、光控晶闸管、高频快速晶闸管、逆导晶闸管、双向晶闸管、门极辅助关断晶闸管、非对称晶闸管等等。这些器件的功能只限于用门极控制电路的开通，故名半控型.自20世纪70年代末开始，由于采用了徽电子技术的工艺成就，制成了大功率晶体管(gianttransistor，GTR)和可关断晶闸管(gate turn一offthyristor，GTO)。这一类器件既能用门极控制开通又能控制关断，故名全控型. 上述器件都是以电子和空穴两种载流子的运动为基础的，所以这类器件被称为双极型器件(bipo肠rdevices)。由于器件工作时两种载流子的产生与复合描要时间，妨碍了器件工作频率的进一步提高。双极型器件一般只能工作在10kH:以下，最高的也只能工作到20~sokH:。由于技术发展，要求其颇率范围日益扩大。
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参考词条