1) LDD structure
轻掺杂扩散结构
1.
This paper describes a process improvement for the HV PMOS LDD structure to enhance the HV PMOS drain breakdown voltage without impact on other device performance,and analyzes the mechanism of how the process improvement enhances the drain breakdown voltage.
文中讲述了一种通过改进高压PMOS源漏极轻掺杂扩散结构(LDD),来提升高压PMOS的漏极击穿电压的工艺改进方法,并且该工艺改进不影响其他器件性能。
2) source/drain Lightly doped diffused structure
源漏轻掺杂扩散结构
3) Boron light doped
硼轻掺杂
4) LDD
轻掺杂漏
5) lightly doped drain
轻掺杂
1.
For the purpose of reducing the p Si TFT off state current, the structures of lightly doped drain (LDD) were used.
采用同型结模型模拟计算了源漏轻掺杂结构的关态漏极电流 ,同时考虑热电子效应修正漏极电流模拟结果 ,使漏极电流降低到 1 0 - 11A量级 ,晶体管的开关电流比值达到 1 0 6量级。
6) lighthy doped drain(LDD)
轻掺杂漏极
参考词条
补充资料：掺杂型结构导电高分子
分子式：
CAS号：
性质：结构型导电高分子是指高分子本身具有导电结构，不需借助外加导电性材料的聚合物，多为线性共轭聚合物和某些高分子金属络合物。这些聚合物经过掺杂处理之后形成电荷转移络合物，掺杂后其电导率可以大幅度提高，一般可以提高几个数量级，甚至可以接近常见金属导体的电导率，如聚乙炔和聚吡咯经化学或者电化学掺杂处理后，其电导率可以达到102S/cm以上，在某些场合可以替代金属材料。其特点和应用参见本征型导电高分子。
CAS号：
性质：结构型导电高分子是指高分子本身具有导电结构，不需借助外加导电性材料的聚合物，多为线性共轭聚合物和某些高分子金属络合物。这些聚合物经过掺杂处理之后形成电荷转移络合物，掺杂后其电导率可以大幅度提高，一般可以提高几个数量级，甚至可以接近常见金属导体的电导率，如聚乙炔和聚吡咯经化学或者电化学掺杂处理后，其电导率可以达到102S/cm以上，在某些场合可以替代金属材料。其特点和应用参见本征型导电高分子。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。