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1)  gate-modulated lightly doped source drain
新型栅控轻掺杂漏区结构
2)  lightly doped drain(LDD)
轻掺杂漏区
3)  source/drain Lightly doped diffused structure
源漏轻掺杂扩散结构
4)  LDD MOSFET
轻掺杂漏MOSFET
5)  lightly doped drain
轻掺杂漏极
6)  lightly doped drain (LDD)
轻掺杂漏(LDD)
补充资料:掺杂型结构导电高分子
分子式:
CAS号:

性质:结构型导电高分子是指高分子本身具有导电结构,不需借助外加导电性材料的聚合物,多为线性共轭聚合物和某些高分子金属络合物。这些聚合物经过掺杂处理之后形成电荷转移络合物,掺杂后其电导率可以大幅度提高,一般可以提高几个数量级,甚至可以接近常见金属导体的电导率,如聚乙炔和聚吡咯经化学或者电化学掺杂处理后,其电导率可以达到102S/cm以上,在某些场合可以替代金属材料。其特点和应用参见本征型导电高分子。

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