1) magnetoexpansion coefficient
磁致应变系数
2) magnetic-field-induced strain
磁致应变
1.
The surface morphology,compositions and microstructures of the films were investigated and the magnetic-field-induced strain was measured.
采用直流磁控溅射的方法,在NaC l基底上沉积了N i-Mn-Ga薄膜,对薄膜进行了形貌观察、微区成分及结构分析,并测量了薄膜的磁致应变。
2.
The effects of microamount additions of RE(Tb, Sm) on the martensitic transition and the magnetic-field-induced strains of highly textured polycrystalline Ni-Mn-Ga alloys were investigated,and the effects of pre-compressive stress on the magnetic-field-induced strains of the alloys were studied especially.
研究了稀土元素Tb和Sm对Ni-Mn-Ga磁性形状记忆合金的马氏体相变及磁致应变的影响,并着重研究了预加压应力对合金磁致应变的影响作用。
3.
The martensitic transformation and the magnetic-field-induced strain (MFIS) of melt-spun ribbons were investigated.
采用快淬技术制备了非化学计量比的Ni47Mn32Ga21薄带合金,研究了快淬合金的形状记忆效应和磁致应变。
3) magnetostrictive strain
磁致伸缩应变
1.
It is found that the magnetostrictive strains λ and dλ/dH are improved markedly; the crystal morphologies are changed from parallel planes to polygons; furthermore, rare earth rich phases disperse along the grain boundaries and sample surface, a part of it in the gr.
实验结果表明,热处理后合金的磁致伸缩应变λ和dλ/dH都显著提高,显微组织由片状晶向多边形晶粒转化,而且富稀土相在样品表面和晶界析出,晶粒内部的富稀土相有球化趋势。
4) Magnetostriction
[英][mæg,ni:təu'strikʃən] [美][mæg,nito'strɪkʃən]
磁致伸缩应变
1.
Microstructure and Magnetostriction of the Oriented Galfenol Alloy;
取向Galfenol合金的结构与磁致伸缩应变
2.
Then treating the magnetostriction of particulate as an eigenstrain and taking the relationships between magnetostriction and elasticity modulus of Terfenol-D particulate and effective field into consideration,the average magnetostriction and effective elasticity modulus of epoxy-bonded Terfenol-D composites under any applied field as well as saturation magnetic field are .
首先由退磁场效应分析得到有效磁场强度与外磁场强度的关系,继而根据复合材料细观力学中的Eshelby等效夹杂理论和Mori-Tanaka方法导出了颗粒磁场伸缩应变与复合材料磁致伸缩应变的关系,结合Terfenol-D颗粒磁致应变及弹性模量与有效磁场强度的关系,最终预测了环氧基Terfenol-D复合材料磁致应变及有效弹性模量与外磁场强度的关系,并分析了颗粒含量、形状及基体弹模对复合材料饱和磁致伸缩系数及弹性模量的影响。
5) magneto striction strain gauge
磁致伸缩应变仪
6) magnetostriction coefficient
磁致伸缩系数
1.
Optimization algorithm for magnetostriction coefficient;
计算磁致伸缩系数的优化算法
2.
A method for testing the magnetostriction coefficient of thin films accurately;
电容位移法精确测量磁性薄膜的磁致伸缩系数
补充资料：磁致伸缩系数测量
磁致伸缩系数测量
measurement of magnetostriction coefficients
便易行，又有足够的灵敏度，因此在磁性测量中应用最为普遍。 应变电阻是将长度变化转换为电阻变化的元件。线式应变电阻是由电阻对形变十分敏感的康铜线(直径为0.03一0.05mm)盘成，然后粘在两层绝缘性能很好的纸片之间制成。其特点是电阻的相对变化与长度的相对变化(△l/l)成正比。测量样品的磁致伸缩系数时，将应变电阻用粘合剂粘在样品上，样品在磁化时产生的形变，通过纸片完全传递到应变电阻线上，使应变电阻线发生相同的形变，从而引起其电阻的变化。只要用电桥测出其电阻的变化率，就可以求出磁致伸缩系数(凡=△l/l)。 用应变电阻法既能测量多晶材料，又可测量单晶样品的磁致伸缩系数从。。及几川。在样品的不同晶面的不同方向上贴应变电阻，磁场与该晶面平行，使样品绕垂直于此晶面的轴转动，这样可测量出磁场与参考晶轴间不同夹角的磁致伸缩系数，进而推测出大1。。和几川。 机械光杠杆法利用┌───┬───┐│ I │J-~ ││一 │ 注││ r │ b ││ │. │└───┴───┘图l机械光杠杆装置原理 示意机械杠杆及光杠杆放大微小形变的方法测量凡。在这种方法中，通过机械光杠杆系统把线状样品的长度变化△l转换为光杠杆的光点位移。图1是一种机械光杠杆装置原理简图。样品采用线度比大于250的细线(直径约1mm)，两端固定在支杆a、b上，置于能产生80kA/m以上的场强的螺线管中，并与螺线管的轴线重合。借助螺丝e使样品处于螺线管的中部磁场均匀区中。样品下端的支杆b借助刀口与杠杆A连接。此刀口与接触点O的距离为X，，杠杆的自由端点与O点相距为X。自由端上有一细线，此线绕过半径为r的小轮，悬挂一祛码P。小轮是带有反射小镜m的转轴B的一部分。砖码P的作用是使线适当拉紧，以防止线在小轮上滑动。小镜m与位于正前方的灯尺组成读数系统。 当样品沿轴线磁化，其长度改变△l时，杠杆A的自由端发生微小位移△y。这位移通过绕在小轮上的细线使B轴转动，从而带动小镜m偏转a角，此时灯尺上的光标发生位移”，若灯尺与反射小镜间距离为d，则样品的长度变化可以计算出来。这种装置可将△l放大1万倍，灵敏度很高。 光干涉法利用光波的叠加产生光波干涉原理测量微小长度变化的方法。图2是迈克尔逊干涉仪的结构原理简图。
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参考词条