1) gage factor
应变片系数
1.
After identical tensile experiments of standard strain sensors and MEMS strain sensors separately, the gage factor (sensitivity) of the MEMS strain sensor was obtained as 13.
分别对标准应变片和MEMS试样进行完全相同的拉伸实验 ,从而得到埋入MEMS应变片的应变片系数 (灵敏度 )为 13,同时获得在实验试样的制作条件下 ,测量应变与实际应变之比为 2。
3) gauge factor(GF)
应变系数
1.
The effects of the physical and chemical characteristics of the conductive phase on the gauge factor(GF) of the Ru-based thick-film strain resistor;
厚膜电阻材料的物化特性对钌系厚膜电阻应变系数的影响
2.
A new method to increase of the gauge factor(GF) Rubased thick film resistor (TFR) was introduced.
采用粒子尺寸为８ｎｍ的纳米Ａｌ２Ｏ３作为掺杂改性剂，通过选择合适粒径和配比的导电相、玻璃相及烧结工艺，得到了一种ＧＦ为１３、电阻温度系数小、稳定性良好的钌基厚膜应变电阻，并从厚膜电阻导电机理和纳米材料特性出发，讨论了纳米氧化铝掺杂对厚膜应变电阻应变系数、温度系数、稳定性的影响及其机理。
4) gauge factor
应变系数
1.
Heavy doped polycrystalline silicon (Poly-Si) nanoflims have great gauge factors (GF) and good temperature characteristics, and they are ideal piezoresistive materials for mechanics sensors.
重掺杂多晶硅纳米薄膜具有较大的应变系数和良好的温度特性,是制作力学量传感器的理想压阻材料。
2.
For the purpose of aiding the development of effective MEMS strain sensors using polysilicon nano-film,we investigate the relationship between the B-doped concentration and the gauge factor of LPCVD-grown polysilicon nano-film and analyze the structure of the film via scanning electron photomicrographs and X-ray diffraction-spectra.
为有效利用多晶硅纳米薄膜研制MEMS压阻器件,本文对LPCVD多晶硅纳米薄膜应变系数与掺硼浓度的关系进行了研究,并利用扫描电镜和X射线衍射实验分析了薄膜的结构特点。
3.
The relation between gauge factors of heavy doped polysilicon films deposited by LPCVD and temperatures is researched and attained,considering experimental influences of deposition temperature and film thickness on gauge factors.
利用LPCVD制备重掺杂多晶硅薄膜,在0~560℃温度范围内对薄膜的压阻效应进行研究,同时对多晶硅薄膜应变系数随温度的变化,以及薄膜的淀积温度与薄膜厚度对应变系数的影响进行了相关的实验研究。
5) transformation strain coefficient
相变应变系数
1.
A three-phase model for the thermal expansion coefficient and transformation strain coefficient of the shape memory alloy composite was developed,in which the composite was considered as the austenitic phase,the product phase(martensite phase) and the matrix phase.
基于细观力学的理论,将SMA增强复合材料视为三相等效系统进行分析,即基体相、奥氏体相和马氏体相;求解了SMA增强复合材料的有效热膨胀系数和有效相变应变系数的一般表达式,该表达式适用于各种形状的纤维增强复合材料。
6) strain-optical coefficient
胁变光系数，应变光系数
补充资料：氨酚伪麻片（日片）与氨苯伪麻片（夜片）
药物名称：氨酚伪麻片（日片）与氨苯伪麻片（夜片）
英文名：Compound paracetamol Combination Tablets
汉语拼音：
主要成分：日服片：对乙酰氨基酚、盐酸伪麻黄碱；夜服片：对乙酰氨基酚、盐酸伪麻黄碱、盐酸苯海拉明。
性状：日服片为白色，夜服片为蓝色。
药理作用：动物试验表明本品具有解热、镇痛、镇静作用，另可降低鼻气道阻力及粘膜血管的通透性。
药代动力学：
适应症：用于治疗感冒引起的发热、头痛、四肢疼痛、鼻塞、流涕、喷嚏等症状。
用法与用量： 白天服日服片，每日二次（8小时一次），每次1～2片。
晚上睡前服用夜服片，一日一次，每次1片。
不良反应：偶见。为轻度口干、口苦、上腹不适、困倦、多汗等。
禁忌症：对（包括日服片和夜服片）组分过敏者禁用。
注意事项： 1.每日不超过8片，疗程不超过7天。超量服用可产生头晕、失眠、神经质等症状。
2.心脏病、高血压、甲亢、糖尿病、青光眼、肺气肿等呼吸困难、前列腺肥大伴排尿困难者不宜服用。
3.避免与降压药或抗抑郁药同时服用，服药期间避免饮酒。
4.孕妇、哺乳期妇女使用前应咨询医生。
5.服用本品若症状未改善或伴高热，应及时停药。
6.对麻黄碱药理作用敏感者及老年人慎用。12岁以下儿童不宜服用。
7.夜用片服药期间可引起头晕、嗜睡，故不宜驾车、高空作业及操纵机器。
规格：每片含 日服片 夜服片
对乙酰氨基酚 0.325g 0.5g
盐酸伪麻黄碱 30mg 30mg
盐酸苯海拉明
贮藏：遮光，密闭保存。
有效期：暂定二年。
处方药：是
英文名：Compound paracetamol Combination Tablets
汉语拼音：
主要成分：日服片：对乙酰氨基酚、盐酸伪麻黄碱；夜服片：对乙酰氨基酚、盐酸伪麻黄碱、盐酸苯海拉明。
性状：日服片为白色，夜服片为蓝色。
药理作用：动物试验表明本品具有解热、镇痛、镇静作用，另可降低鼻气道阻力及粘膜血管的通透性。
药代动力学：
适应症：用于治疗感冒引起的发热、头痛、四肢疼痛、鼻塞、流涕、喷嚏等症状。
用法与用量： 白天服日服片，每日二次（8小时一次），每次1～2片。
晚上睡前服用夜服片，一日一次，每次1片。
不良反应：偶见。为轻度口干、口苦、上腹不适、困倦、多汗等。
禁忌症：对（包括日服片和夜服片）组分过敏者禁用。
注意事项： 1.每日不超过8片，疗程不超过7天。超量服用可产生头晕、失眠、神经质等症状。
2.心脏病、高血压、甲亢、糖尿病、青光眼、肺气肿等呼吸困难、前列腺肥大伴排尿困难者不宜服用。
3.避免与降压药或抗抑郁药同时服用，服药期间避免饮酒。
4.孕妇、哺乳期妇女使用前应咨询医生。
5.服用本品若症状未改善或伴高热，应及时停药。
6.对麻黄碱药理作用敏感者及老年人慎用。12岁以下儿童不宜服用。
7.夜用片服药期间可引起头晕、嗜睡，故不宜驾车、高空作业及操纵机器。
规格：每片含 日服片 夜服片
对乙酰氨基酚 0.325g 0.5g
盐酸伪麻黄碱 30mg 30mg
盐酸苯海拉明
贮藏：遮光，密闭保存。
有效期：暂定二年。
处方药：是
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条