1) electrostatic lattice
静电晶体格
2) SIT
[英][sɪt] [美][sɪt]
静电感应晶体管
1.
A Study on Electrical Parameters of SIT;
静电感应晶体管(SIT)电性能参数的研究
2.
The gate region of conventional SIT(static induction transistor)is usually prepared by B diffusion in n-type Si,the preparation is complex and high in cost,so a new recessed-gate Schottky barrier SIT was proposed.
传统的静电感应晶体管多采用扩硼的方法制备栅极区,这种工艺热预算较高,使得工艺复杂程度和生产成本较高,基于此提出并设计了一种新型的槽栅型肖特基势垒静电感应晶体管。
3) static induction transistor
静电感应晶体管
1.
Methods for improving the high current performance of static induction transistor (SIT) are presented.
描述了改善静电感应晶体管(SIT)大电流特性的新方法。
2.
The space charge effect (SCE) of static induction transistor (SIT) that occurs in high current region is systematically studied.
研究了静电感应晶体管(SIT)在大注入情况下出现的空间电荷效应,分析了空间电荷效应的物理机制。
3.
A cylindrical gates model of the static induction transistor is proposed and mirror method is used to calculate the distribution of electric potential.
针对埋栅型静电感应晶体管 (SIT)提出一种柱栅模型 。
4) dielectric superlattices
介电体超晶格
6) organic static induction transistor
有机静电感应晶体管
1.
The influence of gate-drain distance on organic static induction transistor properties;
栅源距离对有机静电感应晶体管特性的影响
补充资料：功率静电感应晶体管
一种短沟道的功率场效应晶体管。简称 SIT。为区别起见， 一般不把它归入功率场效应晶体管类。SIT通常采用 n沟道的结型场效应结构。图1为这种SIT的符号，G、D、S分别代表栅极、漏极和源极。
SIT有平面型、埋沟型等几种。图2为平面型SIT的部分剖面结构。该器件源极的n型半导体被栅极的p型半导体所围，漏极电流IDS必须通过这一窄小的沟道。在栅极与源极间加大负电压VGS时,会使上述沟道变窄以至消失，结果便在原沟道位置形成了一个阻止电子通过的位垒。漏极电压VDS对这一位垒也有影响，但作用远不如栅极明显。改变栅极的电压，便可控制流过源极和漏极间的电流。图3是该器件的输出特性，反映了栅极的控制作用和一定栅极电压下漏极电流与电压的关系。从图3中可以看到，为截止漏极电流，需要栅极电压有足够的负值，较高的漏极电压需要有更大负值的栅极电压；一旦SIT导通，漏极和源极间相当于一个小电阻。
SIT是介于双极型功率晶体管(GTR)与功率场效应晶体管（功率MOSFET）之间的器件(性能方面更接近后者)，其开关频率可在1MHz以上（可达100MHz），80年代中期其容量已有10A/800V，和功率MOSFET差不多，适用于数千瓦以下的电力电子装置上。
虽然SIT的概念早在1950年就被提出，功率SIT器件直至 70年代末方出现。SIT的工作电流密度要大于功率MOSFET，且其制造工艺也比后者容易，因而是一种很有前途的器件，有希望发展成100A/1000V级的大容量高频器件。
另外，若将图2中的SIT漏极的n型高掺杂半导体换成p型半导体,则器件变成静电感应晶闸管（又称场控晶闸管），简称SITH。它的工作电流密度及容量远比SIT高，可达门极可关断晶闸管(GTO)的水平,其开关性能（尤其是开通速度）则优于GTO，是80年代出现的性能最优的大容量电力电子器件之一。
SIT有平面型、埋沟型等几种。图2为平面型SIT的部分剖面结构。该器件源极的n型半导体被栅极的p型半导体所围，漏极电流IDS必须通过这一窄小的沟道。在栅极与源极间加大负电压VGS时,会使上述沟道变窄以至消失，结果便在原沟道位置形成了一个阻止电子通过的位垒。漏极电压VDS对这一位垒也有影响，但作用远不如栅极明显。改变栅极的电压，便可控制流过源极和漏极间的电流。图3是该器件的输出特性，反映了栅极的控制作用和一定栅极电压下漏极电流与电压的关系。从图3中可以看到，为截止漏极电流，需要栅极电压有足够的负值，较高的漏极电压需要有更大负值的栅极电压；一旦SIT导通，漏极和源极间相当于一个小电阻。
SIT是介于双极型功率晶体管(GTR)与功率场效应晶体管（功率MOSFET）之间的器件(性能方面更接近后者)，其开关频率可在1MHz以上（可达100MHz），80年代中期其容量已有10A/800V，和功率MOSFET差不多，适用于数千瓦以下的电力电子装置上。
虽然SIT的概念早在1950年就被提出，功率SIT器件直至 70年代末方出现。SIT的工作电流密度要大于功率MOSFET，且其制造工艺也比后者容易，因而是一种很有前途的器件，有希望发展成100A/1000V级的大容量高频器件。
另外，若将图2中的SIT漏极的n型高掺杂半导体换成p型半导体,则器件变成静电感应晶闸管（又称场控晶闸管），简称SITH。它的工作电流密度及容量远比SIT高，可达门极可关断晶闸管(GTO)的水平,其开关性能（尤其是开通速度）则优于GTO，是80年代出现的性能最优的大容量电力电子器件之一。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条