1) Ce~(3+)/TiO_2
掺杂Ce~(3+)的TiO_2
2) doped
掺杂
1.
Preparation of TiO_2 doped Fe~(3+),La~(3+) and its photocatalytic performance;
镧和铁掺杂纳米TiO_2的制备及其光催化性能
2.
Influence of Co-doped on the Photocatalytic Activity of K_2Nb_4O_(11);
掺杂Co对K_2Nb_4O_(11)光催化性能的影响
3.
Preparation of proton acid doped polyaniline and its gas-sensing properties;
质子酸掺杂聚苯胺的制备及其常温气敏性能
3) dope
掺杂
1.
Study on the structure of La-doped SrBi_4Ti_4O_(15);
La掺杂SrBi_4Ti_4O_(15)结构影响研究
2.
Research on Nd-doped Barium Titanate Powder Prepared by Hydrothermal Synthesis;
水热法制备钕掺杂BaTiO_3粉体及其介电性能研究
3.
Preparation and fluorescence properties of polyaniline doped with [CrMo_6O_(24)H_6]~(3-);
[CrMo_6O_(24)H_6]~(3-)掺杂聚苯胺材料的制备及荧光性质
4) adulteration
掺杂
1.
Study on adulteration synthesis and gas sensitive properties of nanometer α-Fe_2O_3 powders;
掺杂合成纳米α-Fe_2O_3粉体及其气敏性能研究
2.
The retinyl schiff base salt was synthesized through the adulteration of silver nitrate.
以维生素A醋酸酯为原料,通过水解,利用活性二氧化锰氧化得视黄醛,醛与联苯胺反应合成席夫碱,席夫碱掺杂金属银化合物制得新型视黄基席夫碱盐。
3.
Based on the experiments on magnetic_field_induced Freedericksz transition of planar nematic liqui d crystal, doped with trace bulin, fibre protein and double_azo etc, the trace adulteration effects on the transition of planar nematic liquid cryst al are discussed; experimental curves and nu merical calculation curves are given.
采用相位延迟法 ,通过对分别掺入微量卟啉类物质、纤维蛋白质和双偶氮苯沿面排列 5CB液晶磁场弗里德里克斯转变的实验和数值计算 ,从实验和原理上探讨了微量掺杂对沿面排列 5CB液晶磁场弗里德里克斯转变的影响 。
5) dopant
掺杂
1.
Effects of Zr and Nb dopants on the microstructure and magnetic properties of Nd_2Fe_(14)B/α-Fe nanocomposite ribbons;
Zr和Nb掺杂对Nd_2Fe_(14)B/α-Fe纳米复合永磁薄带显微组织和磁性能的影响
2.
Phototonus of Chemical And Spectral Sensitization of AgBr Emulsions with Formate as Dopant;
甲酸钠掺杂溴化银乳剂的化学增感和光谱增感感光特性
3.
The Effect of Dopant Sb on the Superhydrophilicity and the Microstructure of the Nanoscale TiO_2 Thin Film;
掺杂Sb对纳米TiO_2薄膜的超亲水性和微结构的影响(英文)
6) In-doped
In掺杂
1.
Preparation of In-doped ZnO Films on Si Substrates Using Radio Frequency (rf) Reactive Co-sputtering Technique;
用射频溅射技术在硅衬底上制备In掺杂ZnO薄膜
2.
Glancing X-ray diffractometer (XRD) measurement indicated that In-doped sample is ZnO films.
用X射线衍射仪、原子力显微镜和荧光分光光度计分别对两样品的结构、表面形貌和光致发光特性进行了表征 ,分析了In掺杂对ZnO薄膜的结构和发光特性的影响。
参考词条
补充资料:CaO-TiO2-SiO2 ceramics
分子式:
CAS号:
性质:在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存,性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅,加入少量改性添加剂,经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品,也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙,用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等,以确保两晶相共存。主要介电性能为:介电常数80~110,介质损耗角正切值(0.8~2.5)×10-4,介电常数温度系数(-450~+550)×10-6/℃。抗电温度(45~55)kV/mm,电阻率(1011~1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
CAS号:
性质:在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存,性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅,加入少量改性添加剂,经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品,也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙,用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等,以确保两晶相共存。主要介电性能为:介电常数80~110,介质损耗角正切值(0.8~2.5)×10-4,介电常数温度系数(-450~+550)×10-6/℃。抗电温度(45~55)kV/mm,电阻率(1011~1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。