1)  Bi3+-doping
Bi3+掺杂
2)  Bi
Bi
1.
Synthesis and Photoluminescence Properties of (Y,Bi,Sc)VO_4:Eu~(3+) Phosphor;
(Y,Bi,Sc)VO_4:Eu~(3+)的制备及其发光特性
2.
Effect of Bi on Structure and Properties of Hypoeutectic Al-Si Alloy;
Bi对亚共晶Al-Si合金组织和性能的影响
3.
The Non - Newton Behavior of Melts Sb,Bi;
Sb及Bi熔体的非牛顿流变行为
3)  Bismuth
Bi
1.
Determination of Bismuth(Ⅲ) in Bismuth(Ⅲ)-BSA-Calconcarboxylic sodium syestem by resonance light scattering method;
Bi-BSA-钙试剂体系共振光散射光谱法测定铋的研究
4)  Bismuth
Bi（Ⅲ）
1.
Discoloring Spectrophotometric Determination of Trace Bismuth Based on the Oxidizing Discoloration Reaction Between Litchi Chinese Red and Peroxide of Hydrogen;
003027CBi（Ⅲ）（μg／L），相关系数r=0。
5)  Bi-Si(Bi-MCM-41)
Bi-Si（Bi-MCM-41）
6)  Bi element
Bi相
参考词条
补充资料：掺杂气体
分子式：
CAS号：

性质：在半导体器件和集成电路制造中，将某种或某些杂质掺入半导体材料内，以使材料具有所需要的导电类型和一定的电阻率，用来制造pn结、电阻、埋层等。掺杂工艺所用气体掺杂源称掺杂气体。主要包括砷烷、磷烷、三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氯化硼和乙硼烷等。通常将掺杂源与运载气体(如氩气和氮气)在源柜中混合，混合后气流连续流入扩散炉内环绕晶片四周，在晶片表面沉积上化合物掺杂剂，进而与硅反应生成掺杂金属而徙动进入硅。

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