1) Ar~+ ion implantation
氩离子注入
1.
It was studied that biological effects of Ar~+ ion implantation on Medicage sativa which contain germination rate , germination ability rate of treated seeds ,root length ,mitotic index of root tip cells ,seeding high ,seeding weight were fitted typical curves.
通过对紫花苜蓿幼苗的过氧化物酶、过氧化氢酶、超氧化物歧化酶等生理生化指标的研究发现:过氧化物酶、过氧化氢酶和超氧化物歧化酶活性变化趋势在中、低剂量下,酶活性缓慢增加,并在中剂量30Kev 电子伏,6×10~(16) Ar~+/cm~2下达到最大值,之后随氩离子注入剂量增大逐渐减小;并且随着植株的生长,这几种脂质过氧化物酶的活性水平也在增加,且有着大致相同的变化趋势,证明合适剂量的氩离子注入可有效的削弱苜蓿幼苗膜质过氧化作用。
2) Ar+ ion implantation
氩离子束注入
3) ion implantation
离子注入
1.
Study on characteristics and technology of ion implantation-assisted electroless copper plating films on Al_2O_3 ceramics;
离子注入辅助Al_2O_3陶瓷表面化学镀镀层特性研究
2.
Application of ion implantation and D-gun spraying technology to improve Operation life for jet element of fluid efflux hammer;
应用离子注入和爆炸喷涂技术提高液动锤射流元件寿命
3.
Application of low energy ion implantation in breeding of high yield CGTase strains;
低能离子注入在CGTase高产菌株选育中的应用
4) Ion-implantation
离子注入
1.
Substituting Epitaxy by Ion-implantation in the Production of Microphone Devices;
改用离子注入替代外延生产话筒管
2.
Study on ion-implantation induced intermixing effect of quantum well by using photoluminescence spectroscopy;
离子注入诱导量子阱界面混合效应的光致荧光谱研究
3.
Using single energy or overlapped energy ion-implantation technology,a modified layer was formed after C ions implanted into uranium.
利用离子注入技术,分别采用单能量和多能量叠加注入方式在铀表面注入碳形成表面改性层,并对改性层的形貌、注入元素的分布和相结构分别进行扫描电镜(SEM)、俄歇电子能谱(AES)及表面相结构衍射谱(XRD)分析,利用电化学极化法测试注入样品的抗腐蚀性能。
5) implantation
[英][,implɑ:n'teiʃən] [美][,ɪmplæn'teʃən]
离子注入
1.
Ion-implantation-induced transformation and pyrochlore nanodomains in a single crystal YSZ;
离子注入诱发YSZ相变和Pyrochlore纳米晶的电子显微研究
2.
Ion Implantation in Fabricating Strained Si Channel CMOS;
应变Si沟道CMOS中的离子注入工艺
3.
The structure of the aluminum alloy LY12 implanted with N/Ti by plasma based ion implantation (PBII) was characterized using X ray photoelectron spectroscopy (XPS) and glancing X ray diffraction (GXRD).
用X射线光电子能谱 (XPS)和小掠射角X射线衍射 (GXRD)研究了铝合金LY12等离子体基离子注入氮 /钛改性层的结构。
6) Ions implantation
离子注入
1.
It is analyzed that range distribution and energy deposition distribution of 15 keV nitroger or argon ions implantation in polyether sulfone film.
计算了 1 5 ke V N+和 Ar+注入聚醚砜薄膜的射程分布和能量淀积分布 ,利用计算的结果说明了离子注入聚醚砜膜后 ,薄膜表面电导率增加 (增加 5个数量级 )和光吸收率增加 (最大吸收率从44%增加到 82 。
2.
In this paper, the biological features of saccharomycse stour implanted with low energy ion-beams are studied, and the parameters for ions implantation are established.
研究了以低能离子注入为手段 ,来选育斯托尔酒精酵母 。
3.
Changes in structure and property of tool and mould steel by matallic ions implantation was analyzed in this paper.
对金属离子注入工模具钢造成的结构及性能的变化进行了分析 ,并对其强化机理进行了讨论。
补充资料：氩39-氩40法测年
分子式：
CAS号：
性质：将含钾样品放入核反应堆中接受快中子照射，40K核被打进一个中子，而后放出一个质子，形成39Ar，用质谱计测定被照射样品的40Ar/39Ar比值，代替常规钾-氩法中40Ar/40K比值，从而计算出样品年龄的方法，计算公式如下：t=λ-1ln(1+J•40Ar/39Ar)。式中J=39Ar/40Ar•λ/λkΔT∫φ(ε)σ(ε)dε是样品照射持续的时间，Ф(ε)是能量为ε时的中子通量，σ(ε)为39K(n，p)39Ar的反应截面，实验中用一已知年龄(ts)的标准与待测样品一块进行辐照，由下式求得J值：J=(eλt-1)/(40Ar/39Ar)。此方法解决了过去钾、氩分别由不同方法测定所产生的不同误差使年龄精度较低的弊端；同时由于照射后样品氩的释放可采用阶段加温方法，对一个样品便可获得一系列的表面年龄，最终得到代表矿物或岩石结晶的稳定坪年龄；或由等时线法处理得到样品的年龄、认识外来氩的混入状况。
CAS号：
性质：将含钾样品放入核反应堆中接受快中子照射，40K核被打进一个中子，而后放出一个质子，形成39Ar，用质谱计测定被照射样品的40Ar/39Ar比值，代替常规钾-氩法中40Ar/40K比值，从而计算出样品年龄的方法，计算公式如下：t=λ-1ln(1+J•40Ar/39Ar)。式中J=39Ar/40Ar•λ/λkΔT∫φ(ε)σ(ε)dε是样品照射持续的时间，Ф(ε)是能量为ε时的中子通量，σ(ε)为39K(n，p)39Ar的反应截面，实验中用一已知年龄(ts)的标准与待测样品一块进行辐照，由下式求得J值：J=(eλt-1)/(40Ar/39Ar)。此方法解决了过去钾、氩分别由不同方法测定所产生的不同误差使年龄精度较低的弊端；同时由于照射后样品氩的释放可采用阶段加温方法，对一个样品便可获得一系列的表面年龄，最终得到代表矿物或岩石结晶的稳定坪年龄；或由等时线法处理得到样品的年龄、认识外来氩的混入状况。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条