1) CuPc/ZnS
CuPe/ZnS
3) ZnS/MgF_2
ZnS/MgF2
1.
ZnS/MgF_2 narrow band interference filters were deposited by ion-assisted-deposition (IAD) with an end-hall ion source.
采用霍尔源离子辅助沉积(IAD)技术制备了ZnS/MgF2多层膜窄带干涉滤光片,并与常规沉积条件下制备的样品作比较。
4) ZNS 90
ZNS-90
5) ZnS film
ZnS薄膜
1.
Study on sputter property and effect of ion source on refractive index of ZnS film;
离子源的溅射特性及其对ZnS薄膜折射率的影响
2.
The ZnS films were deposited on ITO by using constantpotential electro-deposition,and were studied by using X-ray diffraction(XRD),scan electron microscope(SEM),atomic force microscope(AFM) and X-ray photoelectron spectroscopy(XPS) techniques.
利用恒电位电沉积技术实现在ITO导电玻璃上沉积ZnS薄膜,用X射线粉末衍射、扫描电镜、原子力显微镜和X射线光电子能谱对制得的薄膜进行了研究。
补充资料：cubic β-ZnS structure
分子式：
CAS号：
性质：又称立方硫化锌型结构（cubic β-ZnS structure）。属等轴晶系。晶体结构中B原子呈立方密堆积，A原子填充在B原子构成的四面体空隙中。A、B原子的配位数均为4。A—B原子间为共价键联系。属闪锌矿型结构类型的化合物有：亚铜的卤化物，铍的氧化物，硼、铝、镓和铟的磷化物，砷化物和锑化物，以及碳化硅，单质碳和单质硅等。其中III～V族和II-VI族化合物是重要的半导体材料，单质硅是最成熟的半导体。
CAS号：
性质：又称立方硫化锌型结构（cubic β-ZnS structure）。属等轴晶系。晶体结构中B原子呈立方密堆积，A原子填充在B原子构成的四面体空隙中。A、B原子的配位数均为4。A—B原子间为共价键联系。属闪锌矿型结构类型的化合物有：亚铜的卤化物，铍的氧化物，硼、铝、镓和铟的磷化物，砷化物和锑化物，以及碳化硅，单质碳和单质硅等。其中III～V族和II-VI族化合物是重要的半导体材料，单质硅是最成熟的半导体。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条