2) polycrystalline ZnS
ZnS多晶体
3) ZnS nanocrystallite
ZnS纳米晶
1.
ZnS nanocrystallite was prepared by co-precipitation.
本文以退火和清洗为实验手段,较深入的研究了ZnS纳米晶颗粒尺寸、结构相变、颗粒表面态和发光性质,论文主要内容如下: 1 用均相沉淀法合成了晶粒度为11nm的ZnS纳米晶。
4) ZnSe-ZnS superlattice
ZnSe-ZnS超晶格
5) ZnS nanowhiskers
ZnS纳米晶须
6) ZnS∶Cu
ZnS∶Cu纳米晶
1.
This paper introduces a method of hydrothermal used to prepare ZnS∶Cu nanocrystals.
通过X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对样品的物相和形貌进行分析表征,发现该方法得到立方闪锌矿结构的球形ZnS∶Cu纳米晶,粒径在1~6nm之间。
补充资料:晶体管-晶体管逻辑电路
晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路(DTL)中的二极管,改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功,基本门电路的结构和元件参数,经历了3次大的改进。同DTL电路相比,TTL电路速度显著提高,功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品,就使开关速度比DTL电路提高5~10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路,开关时间可缩短到3~5纳秒。绝大部分双极型集成电路,都是TTL电路产品。 |
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条