1) Nonlinear flutter suppression
非线性颤振抑制
2) nonlinear flutter
非线性颤振
1.
Application of complex normal form method for stability judgement of limit cycle of nonlinear flutter;
非线性颤振极限环稳定性判别的复数正规形法
2.
Digital simulation method is adopted for the semi-active control of structural nonlinear flutter.
本文利用数字仿真技术，对结构非线性颤振半主动抑制─—颤振驯化方案进行了探讨，仿真结果表明，对于一定的结构非线性类型和参数，利用非线性颤振的极限环特性，可使系统的颤振响应被抑制在幅值报小的稳定域内，从而达到减缓颤振的目的。
3.
Theoretical and experimental investigations are performed for the scheme of" fluttertaming"-semi-active control of structural nonlinear flutter.
对结构非线性颤振的半主动控制即“颤振驯化”方案进行了理论及实验研究。
3) Chatter suppression
颤振抑制
1.
Research on mechanism of cutting chatter suppression based on magnetorheological intelligent boring bar;
磁流变智能镗杆的切削颤振抑制机理研究
2.
To solve this problem, the cutting chatter suppression in boring process was studied systematically in this dissertation .
第2章,建立了镗削加工系统的颤振动力学模型,研究了颤振发生的根本原因,同时对主轴变速切削方法的颤振抑制机理进行了研究,得到了其颤振抑制的本质原因。
4) Flutter Suppression
颤振抑制
1.
Frequency design of dynamic vibration absorbers for flutter suppression of a sandwich panel
吸振夹层壁板颤振抑制的吸振器频率设计
2.
By means of similar structural control systems with smart materials,multiform control aims can be achieved,including static shape control,flutter suppression,buffet control and gust response control.
采用基本相同的智能结构翼面控制系统,根据不同的控制目标需求,使用压电智能材料驱动器可以达到多种目的,包括静态的形状控制与动态的颤振抑制、抖振控制与阵风响应控制。
5) strongly nonlinear flutter
强非线性颤振
6) nonlinear flutter analysis
非线性颤振分析
1.
Based on the linear theory of flutter analysis,considering the nonlinear behavior of structural dynamic characteristics and aerodynamic forces which change with wind speed and structural deformation,an approach of three dimensional nonlinear flutter analysis for long span bridges is described herein.
基于线性颤振分析理论 ,考虑结构的动力特性和作用在结构上的气动力随风速以及结构变形的非线性变化因素 ,提出了大跨度桥梁的三维非线性颤振分析方法。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条