1) Antiferromagnetic film
反铁磁薄膜
2) ferromagnetic/antiferromagnetic film
铁磁-反铁磁薄膜
3) antiferroelectric phase
反铁电相
1.
In the paraelectric-antiferroelectric phase transition of antiferroelectrics NH_4H_2PO_4, the symmetry of crystalloid changes.
在反铁电晶体NH4H2PO4(ADP)顺电反铁电相变中,对称性所属点群也随之发生相应的改变。
2.
The symmetry of the antiferroelectric phase of PbZrO3 was reinvestigated by the symmetry element analysis based on the projective figures given in the related literatures.
在参考文献给出的锆酸铅的反铁电相投影图的基础上,从生群元的角度重新研究了反铁电体锆酸铅的反铁电相的对称性,发现锆酸铅反铁电相的对称群应是P2/m,属于单斜晶系。
3.
For the paraelectric-antiferroelectric phase transition at 180K,this paper draw the conclusion that the symmetry of antiferroelectric Cs3H(SeO_4)_2 is P_2(C_2).
在反铁电晶体 Cs_3H(SeO_4)_2顺电-反铁电相变中,对称性所属点群也随之发生相应的改变。
4) antiferroelectrics
反铁电体
5) SDW AFM
SDW反铁磁
6) antiferromagnetic ordering
反铁磁序
1.
It is revealed that the correlation between the antiferromagnetic ordering and high damping twins also exists in other γ Mn based alloys.
根据反铁磁序引起的点阵畸变与磁长程序参量之间的关系 ,计算了 γMn- Cu合金顺磁→反铁磁转变引起的点阵畸变 ,并将计算值与实验数据进行了比较 。
参考词条
补充资料：稀土-铁族金属非晶薄膜磁光材料
分子式：
CAS号：
性质：用稀土和铁族金属制成的薄膜磁光材料其组成、电和磁性能及单轴各向异性受沉积条件及靶材成分影响。非晶态霍耳电压(VH)与磁场关系和极向克尔磁带回线相似，在补偿温度(Tcomp)附近，霍尔系数R1改变符号，当T<Tcomp时，R1为负，相反为正。其制备方法为高频溅射、真空蒸发、磁控溅射等。
CAS号：
性质：用稀土和铁族金属制成的薄膜磁光材料其组成、电和磁性能及单轴各向异性受沉积条件及靶材成分影响。非晶态霍耳电压(VH)与磁场关系和极向克尔磁带回线相似，在补偿温度(Tcomp)附近，霍尔系数R1改变符号，当T<Tcomp时，R1为负，相反为正。其制备方法为高频溅射、真空蒸发、磁控溅射等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。