1) Antiferroelectric liquid crystal
反铁电液晶
2) anti-ferroelectric liquid crystal
反铁电性液晶
3) ferroelectric liquid crystal
铁电液晶
1.
Research on the unwinding process of ferroelectric liquid crystal under the electric field.;
铁电液晶在电场作用下螺旋结构变化的观察
2.
Influence of temperature on electrically tunable filter properties of ferroelectric liquid crystal;
温度对铁电液晶电调谐滤波特性影响的研究
3.
Study on response velocity of ferroelectric liquid crystal optically addressed spatial light modulator by the macro-model;
铁电液晶光寻址空间光调制器响应速度的宏模型研究
4) ferroelectric liquid crystals
铁电液晶
1.
The display application of ferroelectric liquid crystals materials has been draw much attention all over the world since the working principle of surface stabilized ferroelectric liquid crystal was described by Clark and Lagerwall.
自从Clark和Lagerwall提出表面双稳铁电液晶显示原理后,铁电液晶材料在显示领域中的应用一直是国内外研究的热点课题。
2.
The molecular theory of the dielectric properties in SmC* ferroelectric liquid crystals is presented.
建立了铁电液晶ＳｍＣ*相介电特性的分子理论，求出在外加交变电场作用下液晶系统的自由能密度，得到极化强度〈Ｐ〉和复介电常数ε*的近似表达式。
3.
The discovery and development of ferroelectric and antiferroelectric liquid crystals(FLCs and AFLCs) and their some problems in applied display are introduced and the research results of thresholdless FLCs are described in the paper.
简要介绍铁电、反铁电液晶的发现、发展、显示应用中遇到的问题以及近来发展起来的无阈值铁电液晶的研究结果。
5) AFLCP
聚合物反铁电液晶
6) AFS-FLCD
反铁电稳定化铁电液晶显示器
1.
The principle and characteristics of transient scattering mode(TSM) and antiferroelectric stabilized ferroelectric liquid crystal display (AFS-FLCD) devices are analyzed.
通过对过渡散射型铁电液晶显示器和反铁电稳定化铁电液晶显示器的工作原理、工作特性分析，介绍了它们各自的动态特性——驱动电压、响应速度、对比度、透过率以及储存驱动性，同时也介绍了它们各自的用途。
补充资料：反铁电陶瓷
分子式：
CAS号：
性质：主晶相为反铁电体的陶瓷材料，常见的反铁电体为锆酸铅(PbZrO3)或以其为基的固溶体。具有高的相变场强、储能密度和较低的介电常数，低的介质损耗。如Pb0.97La0.02[(Zr59Till)0.7Sn0.3]O3反铁电陶瓷相变场强为34kV/cm(25℃)，介电常数峰值2020，居里温度181℃。采用一般电子陶瓷工艺制造。由于其中含铅量较高，常用刚玉坩埚加盖密封烧成，以防止氧化铅高温挥发，烧成温度：1340℃左右。用这类材料制成的抗辐射储能电容器的储能密度可达0.3J/cm3以上，制作时常在瓷片电极附近的绝缘边上涂敷半导釉，可有效地防止绝缘边击穿，提高工作电压。还可用于制作高压电容器、高介电容器，以及换能器(实现电能与机械能转换)等。
CAS号：
性质：主晶相为反铁电体的陶瓷材料，常见的反铁电体为锆酸铅(PbZrO3)或以其为基的固溶体。具有高的相变场强、储能密度和较低的介电常数，低的介质损耗。如Pb0.97La0.02[(Zr59Till)0.7Sn0.3]O3反铁电陶瓷相变场强为34kV/cm(25℃)，介电常数峰值2020，居里温度181℃。采用一般电子陶瓷工艺制造。由于其中含铅量较高，常用刚玉坩埚加盖密封烧成，以防止氧化铅高温挥发，烧成温度：1340℃左右。用这类材料制成的抗辐射储能电容器的储能密度可达0.3J/cm3以上，制作时常在瓷片电极附近的绝缘边上涂敷半导釉，可有效地防止绝缘边击穿，提高工作电压。还可用于制作高压电容器、高介电容器，以及换能器(实现电能与机械能转换)等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条