2) laser deposition
激光沉积
1.
The behaviors of the Nb,Ti,Al mixed powder stream concentration from a coaxial laser deposition nozzle and the molten pool in laser deposition process in the controlled environment chamber have been observed and analyzed with a charge coupled device(CCD) camera.
根据微粒光散射理论对CCD拍摄的粉末流图像进行分析,得出了不同位置处粉末流的分布模型,并结合实验获取了用于激光沉积的同轴送粉喷嘴到沉积表面的适用距离区间。
2.
Buffer layers of MgO(or CeO2)were first deposited on silicon substrates,and then BaTiO3(BTO)ferroelectric films were formed again by pulsed laser deposition.
采用脉冲激光沉积方法,在硅基片上先沉积 MgO 或 CeO2缓冲层后再制备 BaTiO3 (BTO)铁电薄膜。
3.
Nanocomposite films composed of Ag particles embedded in BaTiO_3 matrix were grown on MgO(100) substrates by pulsed laser deposition.
在MgO(100)基片上利用脉冲激光沉积技术制备了掺有Ag纳米颗粒的BaTiO3复合薄膜。
3) laser micro-deposition
激光微沉积
1.
In order to fabricate fine thin parts with uniform thickness and good bonding strength directly,the effect of processing parameters on wall thickness uniformity and stability of the process during laser micro-deposition of metallic powder from StelliteF alloy is investigated experimentally.
为了直接制备出壁厚均匀的精细薄壁零件,试验研究了激光微沉积StelliteF合金粉末的工艺参数对壁厚均匀性及沉积过程稳定性的影响。
5) laser melting deposition
激光熔化沉积
1.
Microstructures and mechanical properties of ultra-high strength steel 300M fabricated by laser melting deposition;
激光熔化沉积300M超高强度钢组织与力学性能
2.
Directional rapidly solidified Ni-base superalloy Rene95 with ultra-fine columnar grain structure was produced by the laser melting deposition (LMD) manufacturing process.
采用激光熔化沉积定向快速凝固工艺,制备出了具有快速定向生长微细柱晶组织的Rene95高温合金板状试样,其一次枝晶间距约为7μm、枝晶间完全无γ/γ′共晶组织析出。
3.
Do experiments of GH163 high temperature alloy powder laser melting deposition.
进行了激光熔化沉积成形GH163高温合金粉末条状试样实验,研究了激光脉宽、激光重复频率、扫描速度、送粉速率四个工艺参数对条状试样熔宽和熔高的影响。
6) PLD
脉冲激光沉积
1.
Surface Morphology and Photoluminescence Properties of ZnO Films Deposited with PLD;
脉冲激光沉积ZnO薄膜的微结构及发光性能
2.
PLD Preparation and Application of TiNi SMA Thin Film;
TiNi合金薄膜的脉冲激光沉积制备与应用
3.
Microstructures and Properties of Semiconductor Materials with Pulsed Laser Deposition (PLD);
脉冲激光沉积（PLD）半导体材料结构特性的研究
补充资料：激光化学气相沉积
分子式：
CAS号：
性质： 利用激光束的光子能量激发和促进化学气相反应的沉积薄膜方法。在光子的作用下，气相中的分子发生分解，原子被激活，在衬底上形成薄膜。这种方法与常规的化学气相沉积(CVD)相比，可以大大降低衬底的温度，防止衬底中杂质分布截面受到破坏，可在不能承受高温的衬底上合成薄膜。与等离子体化学气相沉积方法相比，可以避免高能粒子辐照在薄膜中造成损伤。本方法所用设备是在常规的化学气相沉积设备基础上添加激光器、光路系统及激光功率测量装置。用本方法制备的SiO2及Si3N4薄膜时，衬底温度可低至380℃。
CAS号：
性质： 利用激光束的光子能量激发和促进化学气相反应的沉积薄膜方法。在光子的作用下，气相中的分子发生分解，原子被激活，在衬底上形成薄膜。这种方法与常规的化学气相沉积(CVD)相比，可以大大降低衬底的温度，防止衬底中杂质分布截面受到破坏，可在不能承受高温的衬底上合成薄膜。与等离子体化学气相沉积方法相比，可以避免高能粒子辐照在薄膜中造成损伤。本方法所用设备是在常规的化学气相沉积设备基础上添加激光器、光路系统及激光功率测量装置。用本方法制备的SiO2及Si3N4薄膜时，衬底温度可低至380℃。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条