补充资料：半导体薄膜的制备

半导体薄膜的制备
preparation of semiconductor thin films

半导体薄膜的制备preparation。f semieondue-tor thin films在任何衬底上，生长多晶、微晶及非晶薄膜的技术。一般生长温度均比外延的要低。最常用的方法是化学气相沉积(CVD)。CVD又分为常压CVD(APCVD)、低压CVD(LPCVD)、等离子增强CVD(PECVD)和光CVD(PCVD)等方法。其淀积温度按上列次序而递减(在900一100℃范围内变化)。淀积压力可从常压到7 Pa。反应能可用热能、辉光放电能、光能提供。在实际应用中，淀积的薄膜必须满足下列要求:膜厚均匀，薄膜的结构和成分是可控的，制备上可重复的，价廉，容易实现自动化和安全生产。 对具有很小尺寸的超大规模集成电路(VLSI)器件要求精密的光刻，有各向异性的图形转换和很浅的结。这些条件对淀积薄膜工艺提出了新的要求，主要是淀积温度低，以防止浅结的移动;在各向异性腐蚀的表面上有保持图形的台阶覆盖，使其工艺诱发缺陷低以及生产效率高。按上述要求，CVD方法中，以LPCVD法为最好，因其温度适中，薄膜按化学比组成，均匀性好，损伤小，生产效率高。 半导体薄膜广泛用于集成电路中。其中氮化硅膜有抗氧化能力，可用来实现器件的等平面结构;还有抗Na离子和抗潮性能，借以作为电路的表面保护。氧化硅膜用来作为栅介质和绝缘介质。多晶硅膜可用硅烷在600一650℃热分解得到，多晶硅膜可用作金属一氧化物-半导体(MOS)器件的栅电极、多层布线的导电层和浅结器件的接触材料。多晶硅通常在无掺杂下淀积，AS、P或B等掺杂元素随后用扩散、离子注入的方法引入。非外延薄膜除了在集成电路中应用外，非晶硅膜广泛用于太阳电池制作，非晶硅是用硅烷在低温下热分解得到(见非晶硅制备)。(汪师俊)

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