3) third-order nonlinearity
三阶非线性
1.
To explain the characteristics of the time-resolved scan curves,based on the coupling effects of photorefractive and third-order nonlinearity in the nonlinear medium,together with two analogic refractivity-timed expressions,an analysis on the dynamic evolving process of spatial.
对铌酸锂晶体进行了三阶非线性折射系数测量的Z扫描实验和光折变非线性系数测量的时间扫描实验。
2.
In this paper, the preparation and characterization of Au or Ag nanoparticles and development of the third-order nonlinearity of Au or Ag nanoparticles doped glasses are reviewed.
介绍了金银纳米颗粒的各种制备方法及表征,并综述了金银纳米颗粒掺杂玻璃的三阶非线性光学性质及研究进展。
3.
The ultrafast response and large third-order nonlinearity in amorphous chalcogenide films are attributed to the ultrafast distortion of the electron cloud of atoms.
利用飞秒激光超外差光Kerr(OHD-OKE)技术研究了As2S3,As2Se3,GeS2,GeSe2,Ge20 As25S55,Ge20 As25Se55,Ge10 As40S20Se30七个体系硫系非晶态半导体薄膜的三阶非线性性能,结果表明硫系非晶态半导体薄膜具有较大的三阶非线性极化率χ(3)值(达10-12esu),非线性响应时间很快(小于200fs)。
4) third-order nonlinear
三阶非线性
1.
Taking into account the third-order nonlinear, transverse walk-off and diffraction, the conversion efficiency of the third harmonic has been calculated.
采用了包括三阶非线性、离散及衍射等效应的谐波转换计算模型,详细讨论了在三阶非线性、离散和衍射等效应的情况下,相位扰动与三次谐波转换(THG)效率的关系,绘出了相应的关系曲线。
2.
Taking into account the the third-order nonlinear effects, transverse walk-off and diffraction, mostly the effects of third-order nonlinear χ (3) interactions on the frequency conversion and the phase matching condition are discussed.
使用快速傅里叶变换和四阶龙格库塔法,对KDP晶体内以Ⅰ/Ⅱ类角度失谐设置方式的高强度激光三次谐波振荡转换进行了研究,考虑了谐波转换过程中的三阶非线性χ(3)、衍射、离散等效应,并着重研究了KDP晶体的三阶非线性效应对高强度激光三次谐波转换的影响。
3.
A series of the third-order nonlinear optical coefficient γ of organic nonlinear optical material molecular of polyethylene derivatives with azobenzene side-chain were caculated by FF/AM1 method.
用有限场/AM1方法计算了一系列带有偶氮苯侧链的聚烯类衍生物的有机非线性光学材料分子的三阶非线性光学系数γ,研究了γ与分子前线轨道、侧链碳链链长、推拉电子基团等的关系。
6) third-order nonlinear elasticity
三阶非线性弹性
1.
In this thesis, the axis rotation symmetry of third-order nonlinear elasticity was researched with the help of group theoretical methods.
本文用群论的方法研究了三阶非线性弹性的轴转动对称性。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
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参考词条