2) third order nonlinear refractive index
三阶非线性折射率n2
4) third-order optical nonlinear absorption and refraction
三阶光学非线性吸收和折射
5) nonlinear refraction
非线性折射
1.
Nanosecond nonlinear refraction of self-assembled thin film made from salt of amino-trisubstitued methanofullerene;
一种自组装薄膜的纳秒非线性折射特性研究
2.
A simple yet highly sensitive single beam experimental technique for the determination of both the sign and magnitude of nonlinear refraction n2 is presented.
介绍了一种简单而灵敏的单光束测量非线性折射率ｎ２大小和符号的实验方法（Ｚ—Ｓｃａｎ）。
3.
The nonlinear absorption originates from the near resonant two-photon absorption while the mechanism of the nonlinear refraction is the near resonant two-photon absorption transition enhancement.
采用脉冲宽度为7ns、波长为532nm的激光束,首次利用Z-扫描技术测量了新型功能配合物材料Ni(mpo)2[分子式C10H8N2NiO2S2]的非线性吸收系数和非线性折射系数。
6) third-order nonlinearity
三阶非线性
1.
To explain the characteristics of the time-resolved scan curves,based on the coupling effects of photorefractive and third-order nonlinearity in the nonlinear medium,together with two analogic refractivity-timed expressions,an analysis on the dynamic evolving process of spatial.
对铌酸锂晶体进行了三阶非线性折射系数测量的Z扫描实验和光折变非线性系数测量的时间扫描实验。
2.
In this paper, the preparation and characterization of Au or Ag nanoparticles and development of the third-order nonlinearity of Au or Ag nanoparticles doped glasses are reviewed.
介绍了金银纳米颗粒的各种制备方法及表征,并综述了金银纳米颗粒掺杂玻璃的三阶非线性光学性质及研究进展。
3.
The ultrafast response and large third-order nonlinearity in amorphous chalcogenide films are attributed to the ultrafast distortion of the electron cloud of atoms.
利用飞秒激光超外差光Kerr(OHD-OKE)技术研究了As2S3,As2Se3,GeS2,GeSe2,Ge20 As25S55,Ge20 As25Se55,Ge10 As40S20Se30七个体系硫系非晶态半导体薄膜的三阶非线性性能,结果表明硫系非晶态半导体薄膜具有较大的三阶非线性极化率χ(3)值(达10-12esu),非线性响应时间很快(小于200fs)。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
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参考词条