1) Ga doping
镓掺杂
1.
Study on the Structural, and Magnetic Properties of Ga doping Perovskite Cobaltites;
镓掺杂钙钛矿钴氧化物的结构和磁性研究
2) doped lanthanum gallate
掺杂镓酸镧
1.
Progress of doped lanthanum gallate solid electrolytes in the recent years was reviewed.
综述近几年掺杂镓酸镧基固体电解质的研究进展,分析了掺杂LaGaO3结构及导电机制,讨论了碱土、过渡金属及杂相对掺杂镓酸镧固体电解质的导电性的影响,描述了掺杂镓酸镧固体电解质的应用前景,指出了尚存在的问题及解决问题的途径。
3) open tube gallium diffusion
开管镓掺杂
4) doped LaGaO3
掺杂镓酸钕
5) Ga-doped carbon nanotubes
镓掺杂碳纳米管
1.
Carbon nanotubes and Ga-doped carbon nanotubes were synthesized by pyrolysis and then purified.
采用催化热解方法分别制备出碳纳米管和镓掺杂碳纳米管,并利用丝网印刷工艺将其制备成纳米管薄膜。
6) rare earth doped GaN
稀土掺杂氮化镓
补充资料：半导体材料掺杂
半导体材料掺杂
doping for semiconductor material
bondootl Col}{00 ehonzo半导体材料掺杂(doping for semiconduCtormaterial)对材料掺入特定的杂质以取得预期的物理性能与参数的半导体材料制备方法，在大多数情况下，是使用掺杂后的半导体材料进行器件制备。掺杂的具体目的有:(l)获得预期的导电类型，如p型掺杂或n型(见半导体材料导电机理)掺杂;(2)获得预期的电阻率、载流子浓度(见半导体材料导电机理)，如重掺单晶(见简并半导体)、半绝缘砷化稼的制备;(3)获得低的少子寿命(见半导体材料导电机理)，如锗中掺金;(4)获得晶体的良好力学性能，如硅中掺氮;(5)提高发光效率，改变发光波长，如磷化稼中掺氮、掺氧(见发光用半导体材料);(6)形成低维材料及超晶格(见半导体超晶格);(7)调整晶格匹配，如硅中掺锡。 对掺杂的要求主要是:精度、均匀性、分布空间。掺杂的方法有熔体掺杂、气相掺杂、中子擅变掺杂、离子注入掺杂、表面涂覆掺杂(见区熔硅单晶)。掺杂是在半导体材料制备过程的某一个或几个工序中进行，大多数是在单晶拉制过程中进行掺杂，薄膜材料则在薄膜制备过程中进行掺杂，而中子擅变掺杂、离子注入掺杂则离开晶体制备而成为独立的工序。 (万群)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条