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1)  Laser ablation (LA)
激光剥蚀(LA)
2)  laser ablation
激光剥蚀
1.
Study on determination of multi elements in middle-low alloy steel by inductively coupled plasma-atomic emission spectrometry with home-made laser ablation solid sample introduction system;
激光剥蚀进样—电感耦合等离子体原子发射光谱法分析中低合金钢中多元素的研究
2.
Influence factors and evaluation of elemental fractionation in laser ablation inductively coupled plasma mass spectrometry;
激光剥蚀-电感耦合等离子体质谱法中元素分馏效应的影响因素及其评价
3.
A method for direct determination of niobium and tantalum in fused rock glasses by argon fluoride 193 nm excimer laser ablation-inductively coupled plasma mass spectrometry was reported in this paper.
建立了一种利用193 nm ArF准分子激光剥蚀-等离子体质谱法直接测定岩石熔融玻璃中Nb和Ta的分析方法。
3)  Laser ablation-inductively coupled plasma mass spectrometry
激光剥蚀-电感耦合等离子体质谱法(LA-ICP-MS)
4)  laser ablation inductively coupled plasma mass spectrometry(LA ICP MS)
激光剥蚀电感耦合等离子体质谱(LA-ICP-MS)
5)  laser ablation-inductively coupled plasma-mass spectrometry(LA-ICPMS)
激光剥蚀-等离子体质谱
6)  laser lift-off
激光剥离
1.
Structure and optical properties of GaN/metal/Si fabricated by laser lift-off and fusion bonding technique;
激光剥离技术制备GaN/metal/Si的结构和光学特性研究
2.
Vertical GaN light-emitting diodes fabricated by laser lift-off technique
激光剥离技术实现垂直结构GaN基LED
3.
Transient temperature field of GaN material irradiated by pulse laser with different energy density was simulated and analyzed for Al_2O_3/GaN laser lift-off technique using the finite element method(FEM).
用有限元分析法模拟计算Al2O3/GaN的激光剥离,分析了采用不同能量密度脉冲激光辐照时GaN材料内的瞬态温度场分布。
补充资料:半导体激光泵浦的激光晶体


半导体激光泵浦的激光晶体
LD pumped laser crystal

  半导体激光泵浦的激光晶体LD PumPed lasercrystal适用于半导体二极管作泵浦源的激光晶体。传统的固体激光器一般用闪光灯泵浦,由于闪光灯的发光区域宽,只有一部分能量被吸收后转换成激光,大部分转换成热量,使工作物质温度上升,恶化了输出激光束的质量。半导体激光器输出的激光谱线窄(一般为几纳米),选择合适的半导体激光器,使其激光光谱与某种固体激光材料的吸收光谱匹配,即可达到高效泵浦,大大减轻固体工作物质的热负荷。 因为半导体激光器光泵区域小,需用的晶体尺寸也小,因此要求基质晶体内可掺入的激活离子浓度要高,且不产生浓度碎灭。此外,要求与光泵的半导体激光波长相匹配的晶体的吸收带要宽,吸收系数要大;要有低的阑值功率;Q开关运转时,荧光寿命要长。当泵浦光源从闪光灯改变为半导体激光二极管时,对被泵浦的激光晶体产生了不同的要求。用闪光灯泵浦时,对材料的热性能和机械性能有严格要求,而半导体泵浦则更注重材料的光谱性能。 在已使用的激光晶体中,掺钱石榴石(Nd:YAG)晶体的阑值功率低,光学质量高,是应用于半导体激光光泵的固体激光器的主要材料。由于Nd3+离子在基质晶体中受分凝系数的限制,Nd3+离子浓度不能太高,所以一些氟化物和钨、钥酸盐晶体等掺杂浓度高,激光效率高,荧光寿命长,有可能成为半导体激光泵浦的后选晶体。 用半导体泵浦可制成效率高、功率和频率稳定、激光束质量好、寿命长的全固化激光器,并经各种频率转换技术,可发展成各种波长、各种模式、各种运转方式的激光器,这种激光器将在很大范围内取代已有的各类固体、液体和气体激光器。 (沈鸿元)
  
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