1) absorption edge shifting
吸收边漂移
1.
The delay time gallium arsenide (GaAs) high power high speed photoconductive switches is studied on the basis of electroabsorption caused by absorption edge shifting due to bandgap narrowing.
本文用由于禁带变窄引起的吸收边漂移造成的电子吸收来研究了砷化镓高功率高速光导开关的延迟时间 ,给出了初始开态场、照射激光波长和温度对延迟时间的影响的简单公式 。
2) absorption edge blue shift
吸收边界蓝移
3) blue shift of absorption edge
光吸收边蓝移
5) edge shifting
边缘漂移
6) drifting convergence
漂移收敛
补充资料：吸收边
分子式：
CAS号：
性质：又称吸收边。入射X射线照射某元素时，随着波长的改变，质量衰减系数增加；当波长调至某一数值时，质量衰减系数发生突变。某元素的质量衰减系数发生突变时的波长值，称为某元素的吸收限。因入射X射线光子能量(与波长有关)恰好能激发某元素原子能级时，X射线能量被大量吸收，产生吸收突变，故称吸收限。
CAS号：
性质：又称吸收边。入射X射线照射某元素时，随着波长的改变，质量衰减系数增加；当波长调至某一数值时，质量衰减系数发生突变。某元素的质量衰减系数发生突变时的波长值，称为某元素的吸收限。因入射X射线光子能量(与波长有关)恰好能激发某元素原子能级时，X射线能量被大量吸收，产生吸收突变，故称吸收限。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条