1) electrostatic potential across the polar cap
极盖驱动势
2) Driving electric field at the polar cap boundary
极盖区边界驱动电场
3) Driving terminal
驱动端盖
4) driving potential
驱动势
1.
The driving potential and cross sections for synthesizing super heavy nuclei with hot fusion;
超重核合成时的驱动势与热熔合反应截面
2.
A new driving potential of water evaporation and vapor diffusion is set up and the effect of the drying medium temperature and humidity on the driving potential is discussed.
从非平衡热力学理论和相平衡原理出发 ,对多孔介质对流干燥过程中水分蒸发、扩散过程的物理机制进行了分析 ,结果表明 :干燥操作的热力学条件是干燥介质处于未饱和状态 ,干燥时驱动水分蒸发、扩散过程的驱动势是广义热力学力 ,且物料温度愈低、干燥介质温度愈高、相对湿度愈小 ,则驱动势愈
5) driven potential
驱动势
1.
The potential energy surface due to the nucleon transfer in the collision process is the driven potential, which governs the nucleon transfer, so that governs the competition between the fusion and quasi-fission.
碰撞中双核系统间核子转移所形成的势能面称之为驱动势,它制约核子转移,因而决定熔合与准裂变的竞争。
2.
Particle transfer driven potentials in Dinuclear System (DNS) in heavy ion collisions based on208Pb target are calculated.
计算了以208Pb为靶的一系列重离子熔合反应双核系统核子转移驱动势。
6) Driving Advantages
驱动优势
补充资料：高压功率MOSFET门极驱动电路
高压功率MOSFET门极驱动电路
high voltage power MOSFET gate driver
gooyo gongl口MOSFET men}{目udongd一on{日高压功率MOSFE丁门极驱动电路(highvoltage Power MOSFET gate driver)用来开关高压电路中功率MOSFET的门极控制电路，又称高压浮动MOS门极驱动器。 对门极驱动电路的要求 (1)功率MOSFET位于高电位主电路中，而驱动电路位于低电位，因此一般需要电气隔离。、 (2)驱动门极的控制信号幅值应满足10~15V。由子功率MOSFET的门极与源极之间存在极间电容，故门极驱动必须提供该极间电容充放电所需的功率。(3)应具有一定的保护功能。 驱动电路的隔离方法 (l)光隔离:采用光祸合器，电路中每个功率MOSFET需要一个隔离电源，电路复杂，价格较贵，体积大，但开关很快，信号传播延时小。 (2)磁隔离:采用脉冲变压器，电路简单，费用可行，但对占空比很宽的脉冲信号进行祸合需要复杂的技术，信号频率较低时，变压器尺寸显著增加，寄生参数将会使快速开关波形畸变。 驱动电路技术发展很快，现已生产多种驱动IC芯片。进入90年代以来，一种高性能的新型高压浮动MOS门极驱动器IC芯片投人使用，使得MOS功率器件的门极驱动更加完善和易于实现。新型组件能直接驱动低电位开关，而且因具有悬浮输出，故又能直接驱动高电位开关。例如IR213o组件为六输出门极驱动器，在三相逆变电路中，用一片组件，一个千15V直流电源就可同时驱动六个功率MOSFET，使电路大为简化。它还具有以下性能:输出电阻值较小，门极极间电容可快速充放电，提高了功率器件开关速度，开关损耗低;在高频及最高允许工作电压下内部损耗较小。门极欠压、过压或负载电流超过预定峰值时，门极信号钳位于低电平，以保护功率开关器件。 绝缘栅双极型晶体管(I GBT)也属于门极电压驱动的功率器件，故上述的门极控制电路也适用于高电位的IGBT。
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参考词条