1) spin relaxation
自旋驰豫
1.
The influence of different growth conditions on electron spin relaxation time in GaAs/AlGaAs (111) quantum wells (QWs) grown by MBE has been investigated by room temperature photoluminescence spectra, time-resolved Kerr rotation spectroscopy(TRKR), low photoluminescence spectra.
然后本文利用不同工艺条件下在GaAs(111)衬底上生长GaAs时反射高能电子衍射强度振荡呈现单双周期变化的特点,找到了一种在GaAs(111)衬底上生长高质量量子阱的可行方法,运用时间分辨Kerr旋转谱、室温荧光光谱、低温荧光光谱、原子力显微镜等测量手段研究了不同生长条件对量子阱内电子的自旋驰豫的影响。
2) spin relaxation mechanisms
自旋驰豫机制
3) spin relaxation time
自旋驰豫时间
4) spin spin relaxation time
自旋-自旋驰豫时间
5) spin lattice relaxation time
自旋-晶格驰豫时间
6) spin transition decay rate
自旋跃迁驰豫速率
1.
Using half-classical theory, in ?-shaped level scheme of P 3+ r: YSO crystal, both instantaneous and stable value of the absorption for the probe field is numerically resolved at different optical transition decay rate and spin transition decay rate, respectively.
运用半经典理论 ,在Pr3 + :YSO晶体Pr离子 -型三能级系统中 ,求解了探测光吸收在不同光跃迁驰豫速率与自旋跃迁驰豫速率下的瞬态及稳态解 ,得到了电磁感应透明现象 ,分析了两种驰豫对电磁感应透明的影响 ,从而揭示了掺稀土离子晶体中电磁感应透明对温度的依赖性。
补充资料：自旋-自旋弛豫
自旋-自旋弛豫
磁共振成像术语。又称T2弛豫或横向弛豫(transverse relaxation)，指垂直于外磁场B0方向的磁化矢量的指数性衰减过程。磁共振成像时，对置于外磁场B0中的自旋系统施加90°射频脉冲，则自旋系统被激励，其净磁化矢量指向与外磁场B0垂直；射频脉冲终止后，被激励的质子与邻近的原子核之间发生相互作用，逐渐失去相位，净磁化矢量指向恢复与外磁场平行，该过程称自旋-自旋弛豫。自旋-自旋弛豫过程无能量交换。
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参考词条