1) nonlinear wave induced moment
非线性波浪弯矩
2) wave bending moment
波浪弯矩
1.
For ship structures the wave induced bending moments are the dominant factor of the demand and the statistics of the extreme wave bending moment is very important for the ultimate strengt.
对于船舶结构来说 ,波浪弯矩是主要的载荷 ,极限波浪弯矩的统计特征对极限强度的可靠性分析十分重要。
2.
The wave bending moments of three vessels defined in two editions of Russian strength standard for seagoing vessels are calculated and contrasted.
以三条船为例，计算和比较了俄罗斯两个版本的海船强度标准中规定的波浪弯矩；依据线性切片理论，按长期预报方法，分析了标准中规定的波浪弯矩所对应的概率水平。
3.
This paper ,taking account of diffraction force,comes up with an approximate method for calculating wave bending moment.
提供了考虑波浪绕射力计算波浪弯矩的近似方法。
3) nonlinear wave
非线性波浪
1.
A new form of free surface time-stepping for nonlinear wave calculation;
非线性波浪计算的一种新的自由面追踪格式
2.
Numerical simulation of nonlinear wave propagating in shallow water;
浅水中非线性波浪传播过程的数值模拟
3.
The nearshore environment is characterized by nonlinear waves of the shallow-water region.
波浪场控制方程采用雷诺时均方程和k-ε紊流模型,入射波采用椭圆余弦波,采用PLIC-VOF法追踪自由表面;海床域以Biot动力固结理论为基础,建立了非线性波浪与海床相互作用的弱耦合数学模型,获得椭圆余弦波作用下沙质海床中孔隙水压力响应规律。
4) nonlinear waves
非线性波浪
1.
Numerical simulation of nonlinear waves and a restrained ship model advancing in regular heading waves inside a 3D viscous numerical wave tank (NWT) is carried out.
基于粘流理论建立了三维数值波浪水池,模拟了非线性波浪,并对规则波顶浪中前进的拘束船模的水动力进行了计算。
6) wave nonlinearity
波浪非线性
1.
The terms describing the effects of bottom friction, wind input and wave nonlinearity are also introduced into the equation.
经过上述推广后 ,得到综合考虑折射、绕射、反射、非均匀水流、底摩擦损耗、风能输入及波浪非线性的推广的缓坡方程。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条