1) amorphous InGaAs film
InGaAs非晶薄膜
1.
The amorphous InGaAs films were prepared by molecular beam epitaxy(MBE) with different Ⅴ/Ⅲ flux ratios of 40∶1 and 60∶1.
采用分子束外延技术制备了单层InGaAs非晶薄膜,Ⅴ/Ⅲ束流比分别为40∶1和60∶1。
2) InGaAs thin film
InGaAs薄膜
1.
InGaAs thin film was prepared by using optimized electrodeposited conditions.
5μm波长的InGaAs薄膜 。
3) amorphous thin films
非晶薄膜
1.
60 O 3 (PZT) amorphous thin films were deposited on the fused silica substrates using a modified sol gel processing.
60 O3 (PZT)非晶薄膜 ,测量了 2 0 0～ 110 0nm的紫外可见近红外透射光谱 。
2.
52) amorphous thin films on vitreous silica substrates by RF magnetron sputtering were investigated by UV～VIS～NIR transmittance measurement in the wavelength range of 200～1100nm.
5 2 )非晶薄膜 ,并测量了 2 0 0～ 110 0nm的紫外 可见 近红外透射光谱 。
6) a-Si thin film
非晶硅薄膜
1.
An a-Si thin film diodes with big current densities and high on/off ratios was presented by PECVD technology.
报道了采用PECVD薄膜沉积技术制备的大电流、高开关比非晶硅薄膜二极管,在制备工艺温度低于200℃下,获得正向电流密度大于50A/cm-2,±3V偏压时开关比接近105的优质非晶硅薄膜二极管,完全符合三维集成电路(3D IC)中三维只读存储器(3D ROM)的要求。
补充资料：稀土-铁族金属非晶薄膜磁光材料
分子式：
CAS号：
性质：用稀土和铁族金属制成的薄膜磁光材料其组成、电和磁性能及单轴各向异性受沉积条件及靶材成分影响。非晶态霍耳电压(VH)与磁场关系和极向克尔磁带回线相似，在补偿温度(Tcomp)附近，霍尔系数R1改变符号，当T<Tcomp时，R1为负，相反为正。其制备方法为高频溅射、真空蒸发、磁控溅射等。
CAS号：
性质：用稀土和铁族金属制成的薄膜磁光材料其组成、电和磁性能及单轴各向异性受沉积条件及靶材成分影响。非晶态霍耳电压(VH)与磁场关系和极向克尔磁带回线相似，在补偿温度(Tcomp)附近，霍尔系数R1改变符号，当T<Tcomp时，R1为负，相反为正。其制备方法为高频溅射、真空蒸发、磁控溅射等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条