1) polishing technique of sapphire substrate
蓝宝石衬底抛光
2) sapphire substrate
蓝宝石衬底
1.
The effects of sapphire substrate mis-cut angle on the properties of GaN films;
蓝宝石衬底的斜切角对GaN薄膜特性的影响
2.
Growth of GaN film by HVPE was carried out on MOCVD-GaN template and sapphire substrate.
采用氢化物气相外延(HVPE)方法,以蓝宝石作衬底,分别在MOCVD-GaN模板和蓝宝石衬底上直接外延生长GaN。
3.
The chemical mechanical polishing of sapphire substrate was processed by means of alkali slurry with SiO_2 abrasive.
利用磨料为 SiO_2的碱性抛光液对蓝宝石衬底材料进行了化学机械抛光,并对蓝宝石衬底化学机械抛光(简称 CMP)的机理进行了深入的研究,指出了蓝宝石 CMP 的主要的动力学过程,并详细分析了影响各动力学过程的诸要素。
3) sapphire substrates
蓝宝石衬底
1.
The epitaxial relationship between NiO films and sapphire substrates was analyzed by using reflection high-energy electron diffraction.
本论文从研究NiO薄膜在蓝宝石衬底上的外延生长过程出发,运用XRD、AFM表征其结构、形貌,运用原位RHEED分析其外延匹配关系。
4) sapphire wafer
蓝宝石衬底
1.
This paper review the status,technology and progress of sapphire wafer for blue LED.
回顾了(0001)面蓝宝石衬底在LED的重要作用及其磨粒加工方法的发展进程。
2.
Sapphire wafer surface with surface error of peak-valley value less than 5 μm,standard deviation of roughness less than 0.
5的B4C磨粒对蓝宝石衬底进行粗研磨和精密研磨的试验研究。
5) Sapphire compound substrate
蓝宝石复合衬底
6) patterned sapphire substrate
图形蓝宝石衬底
1.
LEDs with 2?μm thick n-GaN layer,four pairs of InGaN/GaN quantum well structures and 200?nm thick p-GaN layer were grown on the patterned sapphire substrate (PSS) by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD).
衬底上的二维光子晶体结构采用激光全息技术和感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀技术制作,然后采用金属氧化物化学气相沉积(MOCVD)技术在图形蓝宝石衬底(PSS)上生长2μm厚的n型GaN层,4层量子阱和200nm厚的p型GaN层,形成LED结构。
补充资料：掺钛蓝宝石激光晶体
分子式：Ti3+:Al2O3
CAS号：
性质：在基质晶体中掺入三价钛离子而形成的输出激光可调谐激光晶体。六方晶系。熔点2050℃。空间群D36d-R3C，硬度9，仅次于金刚石。晶体具有宽的吸收带(400～600nm)、宽的发射带(650～1200nm)和大的发射截面(3×10-19cm2)，荧光寿命3.2μs。采用焰熔法、提拉法、区熔法、热交换法等方法制备。军事上用于遥感、雷达，工业上用于激光加工等。
CAS号：
性质：在基质晶体中掺入三价钛离子而形成的输出激光可调谐激光晶体。六方晶系。熔点2050℃。空间群D36d-R3C，硬度9，仅次于金刚石。晶体具有宽的吸收带(400～600nm)、宽的发射带(650～1200nm)和大的发射截面(3×10-19cm2)，荧光寿命3.2μs。采用焰熔法、提拉法、区熔法、热交换法等方法制备。军事上用于遥感、雷达，工业上用于激光加工等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条