1) resistive random access memory(RRAM)
阻变式存储器（RRAM）
2) winding deformation
绕阻变形
3) negative resistance conversion
负阻变换
1.
A sinusoidal oscillation circuit composed of simulated inductance and negative resistance converter is put forward according to the principle of simulated inductance and negative resistance conversion.
提出了一种由模拟电感和负阻变换器组成的正弦波振荡电路。
4) resistance changes
电阻变化
1.
Modeling of resistance changes based on the free volume in VLSI interconnection electromigration;
为了描述这些离子的特征,引入了自由体积的概念,将晶界处电子散射这个复杂的过程简化用自由体积的有效散射截面来描述,从而建立了自由体积与电阻变化的定量关系,统一描述了电迁移过程中不同阶段的电阻变化。
5) relative change of resistance
电阻变化率
6) Increased resistance value
电阻变化值
参考词条
补充资料：随机存取存储器(见半导体存储器)
随机存取存储器(见半导体存储器)
random access memory,RAM
s日1}}Cunq日Ct旧choql随机存取存储器random aeeess memoryRAM)见半导体存储器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。