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1)  phase nonlinearity
相位非线性
2)  nonlinear phase
非线性相位
1.
The paper introduces the design scheme of a nonlinear phase filter based on linear phase filter design.
介绍了一种非线性相位滤波器的设计方法,它建立在线性相位滤波器设计方法的基础上,用这种方法可以设计性能优越的特定相位的滤波器。
3)  phase modulator non-linearities
相位调制非线性
1.
Influences of phase modulator non-linearities on measurement of work point and signal demodulation are analyzed theoretically .
从理论上给出了二倍频非线性相位调制情况下开环光纤陀螺输出信号的一、二、四次谐波表达式 ,分析了相位调制非线性对陀螺工作点测量与信号解调的影响 ,实验验证了相关结果。
4)  combined orthonormal
非线性相位小波
5)  nonlinear phase noise
非线性相位噪声
1.
The formulas for calculating nonlinear phase noise are proposed for both dispersion pre-compensation and post-compensation schemes.
分别推导了相位调制系统中采用色散预补偿方式和后补偿方式下非线性相位噪声的计算公式,基于此对这两种色散补偿方式下的相位噪声、功率容限以及最优信号峰值功率进行了详细的分析和讨论,结果表明:采用色散预补偿方式较后补偿方式能更有效地抑制非线性相位噪声,其对非线性相位噪声的抑制能力随着信号能量、放大自发辐射(ASE)的功率谱密度以及传输距离的增加而提高;同时,色散预补偿系统具有更高的功率容限;色散的作用使系统的最优信号峰值功率增大,最佳相移大于1rad;色散预补偿系统的最优信号峰值功率大于色散后补偿系统。
2.
The statistical characteristic of noise is analyzed,and the expression for PDF and BER in the receiver model with preamplifier and MZI for direct detecting DPSK is got,where both linear additional noise and nonlinear phase noise are taken into consideration.
以带光前置放大器且采用MZI相干和直接检测方式的DPSK接收机为分析模型,从考虑线性附加噪声和非线性相位噪声入手,对噪声统计特性进行了数学分析,并推导出了概率密度函数和BER公式。
3.
The derivation of the probability density function(PDF) of differential nonlinear phase noise in diffrential phase-shift keying(DPSK)-balanced direct detection receiver of the high speed optical communication system is achieved by using the Gaussian approximation and Fourier transform methods.
采用高斯函数近似方法以及傅里叶变换法分析推导出高速光纤通信技术中所采用的差分相位调制(differential phase-shift keying,DPSK)-平衡接收机系统中的差分非线性相位噪声Δφ的精确表示,把它应用于考虑了所有对接收机误码产生影响的噪声计算公式中,最终得出了DPSK-平衡接收机误码率最终完整的数学表达式,并用VPI软件进行了仿真验证。
6)  nonlinear-phase fitting
非线性相位拟合
1.
For requriement of plasma diagnostic system in inertial confinement fusion(ICF) drivers,simple lens which can be substituted for logarithmic axicon is designed by nonlinear-phase fitting method.
针对惯性约束聚变(ICF)激光等离子体诊断系统应用的需求,提出一种采用非线性相位拟合法设计单透镜代替理想对数轴锥镜的方法。
补充资料:半导体非线性光学材料


半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials

载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场,从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温,导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外,极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段,可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中,载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应,使载流子能态分布量子化,并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍,因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外,外加电场很容易引起量子能态的显著变化,从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体,如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高,与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比,其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点,以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件,如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体,吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体,禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体,吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况,将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术,能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求,适合制作异质界面清晰的外延材料。
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参考词条