1) multiphase nonlinearity
多相非线性
2) non-linear heterogeneous fluid
非线性多相流体
3) non-linear correlation of the multi-factor
多因子非线性相关
4) multiple nonlinearities
多非线性
1.
The describing function technique for multiple nonlinearities in a single-loop feedback system is used to get the relationship between the bound of deadzone and the quantum step,and the bound of deadzone for stabilizing the chattering is obtained.
采用单回路多非线性系统的描述函数方法给出了振荡时力矩死区同位置传感器量化阶之间的关系,并求得了能使系统镇定的死区范围,提出了以伺服误差的方差作为评价指标的寻优判据,采用数值方法解得使系统镇定的最小死区。
5) Nonlinear correlation
非线性相关
1.
On the base of MV hedge ratio, this paper put forward the principle of future return and spot return matching, using nonlinear correlation parameter replace the linear one to improve the hedge ratio.
在最小方差套期保值模型的基础上,提出了最小方差套期保值的期货与现货波动非线性对冲原理,利用非线性相关系数代替传统的线性相关系数,提高了套期保值比率的准确性。
2.
Result shows that the method is effective to discriminate linear and nonlinear correlation characteristics in a comparatively long data series,and suitable for analysis of complex ocean data.
结果表明 ,在数据资料较长时 ,该方法能有效判定数据序列的线性、非线性相关特征 ,特别适合于复杂的海洋数据资料分析。
3.
To study the linear correlation coefficient and nonlinear correlation coefficient in statistics and find general character.
讨论统计学中的线性相关系数和非线性相关系数,寻找其共性。
6) multiplying nonlinear
相乘非线性
1.
A multiplying nonlinear model was built to the electro-hydraulic compound control of airborne actuation system.
针对机载电液复合控制非线性被控系统,建立了系统的相乘非线性数学模型,提出了基于反馈线性化的在线滚动优化控制方法。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条