2) Doped semiconductor
杂质半导体
1.
From the charge neutrality,by analyzing the relation of impurity density and minority carrier con-centration under different temperature,calculating the rate of unionized dopant,ionization of dopant in single-doped semiconductor is determined and the formulae of carrier concentrations are deduced.
利用电中性条件,通过分析不同温度下杂质浓度和少子浓度的相对关系以及杂质未电离比率,讨论了如何判定具有单一杂质的半导体中杂质的电离状态并计算相应状态下的载流子浓度;通过判定少子浓度是远低于还是远高于杂质浓度,或是与杂质浓度相当,可有效区分饱和电离区、过渡区以及本征电离区并得到有效的载流子浓度计算公式;通过计算未电离杂质的比率可有效判定杂质半导体是处于低温弱电离区、中间电离区或饱和电离区,并得到其载流子浓度计算公式;最后通过实例说明判定方法的应用并计算相应的载流子浓度。
3) pure semiconductor
纯半导体，无杂质半导体
4) semiconductor impurity engineering
半导体杂质工程
5) impurity semi-conductor
(含)杂质半导体[冶]
6) impurity semiconductor
含杂质半导体
补充资料：半导体中的杂质缺陷
半导体中的杂质缺陷
impurities and defects in semiconductors
半导体中的杂质缺陷impurities and defects insemiconductors半导体中的杂质和缺陷对半导体材料性质影响很大，直接关系到电子器件性能的好坏。因此，半导体的纯度、完整性及其均匀性等方面，一直是重要的研究课题。 半导体中的杂质 为了保证器件质量，要求半导体材料成为超纯物质。在超纯半导体中掺入适量的某种杂质成为各类掺杂半导体。半导体器件和集成电路几乎全部使用掺杂半导体。(见材料的超提纯) 半导体硅的纯度已基本满足目前各级半导体器件的要求。随着大规模和超大规模集成电路的问世，对硅单晶的完整性和均匀性提出更高的要求。集成电路用的硅单晶主要是用直拉法(CZ)生产的无位错晶体。现在突出的问题是硅中点缺陷、微缺陷以及氧、碳、氮微量杂质的行为和掺杂剂均匀分布等方面。为了控制杂质分布和单晶生长热历史，晶体生长新技术正在不断发展，例如，采用颗粒状多晶连续加料连续拉晶、磁场拉晶以及微重场拉晶等新技术。 目前所制备的化合物单晶中，剩余杂质的含量仍相当可观。多数单晶中剩余浅能级杂质总含量在10J5at/em3以上，个别高达10’7at/em3。过高的剩余杂质，不仅使材料的电学参数互相补偿，也难于有效地控制掺杂，并且会造成单晶中杂质的微沉淀，影响结构完整性、电学参数的热稳定性、均匀性以及载流子迁移率。因此，为了降低化合物半导体中剩余杂质含量，提高原材料的化学纯度是关键问题之一。 半导体中杂质种类很多。依据杂质原子在晶格中的不同位置，杂质原子可分为替位原子和间隙原子。依据杂质能级在禁带中的位置，杂质可分为浅能级杂质和深能级杂质。依据杂质对半导体电性影响，又可分为电活性杂质和电中性杂质。 浅能级杂质杂质能级靠近导带底的称为浅施主杂质。杂质能级靠近价带顶的称为浅受主杂质。 浅能级杂质可在室温全部电离。半导体的电学特性，如导电类型、电阻率等，主要由它们决定，所以浅能级杂质又称为电活性杂质，它们是半导体中特别重要的一类杂质。 深能级杂质禁带中杂质的施主能级距导带底较远，t杂质的受主能级距价带顶也较远的一类杂质。这种能级称深能级，它们的电离能较大，在室温不会全部电离。有多重能级。有的既能引入施主能级，又能引入受主能级。深能级杂质原子的结构、大小与其在晶格中的位置有关。目前，深能级杂质的行为和理论尚未完全清楚。
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参考词条