1) semiconductor properties
半导体性质
1.
Of them, the semiconductor properties of sulphide minerals have been emphasized.
介绍了硫化矿浮选电化学理论与技术的研究和应用现状,其中重点介绍了硫化矿物半导体性质、电化学研究发展现状。
2) optical properties of semiconducters
半导体光学性质
3) semiconductor characteristics
半导体性
4) Protein semicconductorcharacteristic
蛋白质半导体特性
5) Doped semiconductor
杂质半导体
1.
From the charge neutrality,by analyzing the relation of impurity density and minority carrier con-centration under different temperature,calculating the rate of unionized dopant,ionization of dopant in single-doped semiconductor is determined and the formulae of carrier concentrations are deduced.
利用电中性条件,通过分析不同温度下杂质浓度和少子浓度的相对关系以及杂质未电离比率,讨论了如何判定具有单一杂质的半导体中杂质的电离状态并计算相应状态下的载流子浓度;通过判定少子浓度是远低于还是远高于杂质浓度,或是与杂质浓度相当,可有效区分饱和电离区、过渡区以及本征电离区并得到有效的载流子浓度计算公式;通过计算未电离杂质的比率可有效判定杂质半导体是处于低温弱电离区、中间电离区或饱和电离区,并得到其载流子浓度计算公式;最后通过实例说明判定方法的应用并计算相应的载流子浓度。
补充资料：半导体的热学机械性质
半导体的热学机械性质
thermal and mechanical properties of semiconductor
半导体的热学机械性质thermal and meehaniealproperties of semieonduetor热学性质和热学机械性质是半导体的两种重要的物理性质。 半导体的热学性质在半导体的一系列最主要的应用中，热学性质与电学性质同样重要。半导体的热学性质已应用于与温度有关的各个领域，利用其性质制成的器件已广泛应用于军事、科研等各方面。 ①比热容:单位质量物质的热容量。即能使单位质量物质升高1℃的热能。它一般为温度的函数，可以从热力学关系中求出。(见固体的比热容) ②热膨胀:半导体在温度发生变化时所产生的应变现象。它受晶体对称性的制约，温度不能改变晶体的对称性。温度变化产生的热应力与温度梯度成正比，比例常数称为热膨胀系数，是一个二阶张量。它随温度的变化是非线性的。(见材料热膨胀) ③热导率:当半导体中存在温度梯度时，热能会沿着由高温到低温的方向传递，通常用热流密度来描述。它的大小规定为单位时间流过垂直于热流方向单位面积的热能。热流密度正比于温度梯度，比例系数称为热导率。它取决于导热物体本身的性质。半导体的热传导既通过载流子，也通过晶格的热振动，即通过声子，把热量从高温处传向低温处。另外，热导率与化学成分及晶格结构密切相关，而且对各向异性的晶体，常常随方向有明显的改变。外来的杂质原子和点阵的畸变会大大降低热导率。(见固体热传导) 半导体的热学机械性质任何固体在外力作用下都要发生形变。形变分为弹性形变、塑性形变和碎裂3种。表征这3种形变的物理性质分别为弹性性质、塑性性质和硬度。对于半导体，这3种性质都是各向异性的，并且都取决于组成半导体的结构质点间的相互作用力。 ①弹性性质:任何固体物质在外力的作用下，质点发生位移，晶胞参数发生改变，反映在宏观上，物体就会变形。如果物体在小于某一极限的外力作用之后，仍能恢复原来的形状和大小，则这种形变称为弹性形变，这一极限称为弹性限度。弹性形变遵从胡克定律，即在弹性限度内，物体的应变与应力成正比，比例系数称为弹性模量，它表征物体的弹性性质。在一般情况下，它是一个四阶张量。 ②塑性性质:如果对物体施加超过弹性限度的应力，在应力撤销之后，物体不再恢复原来的形状和大小，则这种形变称为塑性形变。塑性形变是不可逆的。对于半导体，塑性形变主要有两种形式，即滑移和机械双晶。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条