1) ICOD
一体式氧化沟
1.
Using coagulating and sedimentation+ABR+ICOD to dispose printing and dyeing waste water,the running results indicated when the waste water of CODcr was 1800～2000 mg/L,BOD5 was 400～500 mg/L,S2-was 0.
采用混凝沉淀+ABR+一体式氧化沟处理印染废水。
2) integrated oxidation ditch
一体化氧化沟
1.
Biological Nitrogen Removal in Integrated Oxidation Ditch with Side-Channel Separator;
侧沟式一体化氧化沟的生物脱氮
2.
Sectional Optimality Analysis in Uni-tank Based on Integrated Oxidation Ditch;
基于一体化氧化沟的单池分区优化分析
3.
From the aspect of velocity distribution,this paper made a full analysis of the flow condition of integrated oxidation ditch with submerged propeller and training wall based on the measured data.
根据实测数据从流速分布的角度对增设水下推动器和弯道导流墙的一体化氧化沟弯道流态进行了研究分析,在实测和分析的基础上,提出了水下推进器和曝气转盘的合理设置位置,阐明了弯道导流墙对弯道流态的作用并提出了导流墙的合理设置方式,为实际工程设计提供了理论依据和参考。
3) Integrative oxidation ditch
一体化氧化沟
1.
Application of integrative oxidation ditch process to vertical circulation for domestic sewage disposal in Zhongyuan Oilfield;
一体化氧化沟工艺在中原油田污水处理厂的应用
2.
The Application of Integrative Oxidation Ditch Process in Xingtai Xiaohuanghe Nanxiaowang Wastwater Treatment Plant;
一体化氧化沟在邢台小黄河南小汪污水处理厂的应用
3.
The upflow solids reactor (USR)/integrative oxidation ditch process was used for piggery wastewater treatment.
采用升流式固体反应器(USR)/一体化氧化沟处理生猪养殖场污水,介绍了工程设计参数与调试情况,竣工验收监测结果表明,出水各项指标均能满足行业排放标准。
4) Integrated Oxidation Ditch (IOD)
一体化氧化沟
1.
Application of Integrated Oxidation Ditch (IOD) to the Municipal Wastewater Treatment;
一体化氧化沟在城市污水处理中的工程应用
2.
The principle on the separation and the sludge return in an integrated oxidation ditch (IOD) were studied.
论述了一体化氧化沟中固液分离和污泥回流的基本原理，提出了固液分离器的表面负荷ＳＯＲ与污泥层厚度、回流污泥浓度等有关，计算模型为ＳＯＲ＝１１＋Ｒ·ＨｗＴ·ＣｕＣ０。
5) Integrative orbal oxidation ditch
一体化Orbal氧化沟
6) integrative oxidation ditch process
一体化氧化沟工艺
1.
The integrative oxidation ditch process is a new technology for domestic sewage disposal.
对常规活性污泥法和一体化氧化沟工艺在中原油田基地污水厂的应用效果进行了对比分析。
补充资料：N沟道金属-氧化物-半导体集成电路
以 N沟道 MOS场效应晶体管为基本元件的集成电路，简称NMOS。NMOS电路于1972年才研制成功。NMOS电路发展的主要困难，是在普通的工艺条件下NMOS电路所用的衬底材料P型硅表面容易自然反型或接近反型,因而难以制成作为开关元件的增强型MOS晶体管,而且元件之间也不易隔离。NMOS电路工艺比PMOS电路（见P沟道金属-氧化物-半导体集成电路工艺复杂。一般情况下,NMOS电路采用性能良好的硅栅结构(见图)。衬底是轻掺杂的P型硅,栅的材料为多晶硅。一条多晶硅栅及其左右两个N型扩散区连同衬底组成一个N沟道 MOS晶体管。硅栅MOS结构中,铝线扩散线和多晶硅线均能作为内部联线，所以有三层布线。铝线同多晶硅线，铝线同扩散线可以交叉（如图左右两侧）。
NMOS工艺的特点是：①用硅栅结构实现栅同源、漏边界的自对准，以减小寄生电容；②用局部氧化方法使场区氧化层的底边下沉，既能保证为提高场阈电压所需的场氧化层的足够厚度，又能降低片子表面台阶的高度，防止铝层断裂；③用离子注入掺杂工艺可提高硅表面杂质浓度,精确控制MOS晶体管和寄生场晶体管的阈值电压。
硅栅NMOS电路也具有自隔离的特点。工作时,P型衬底连接最低电位，使所有PN结处于反偏或零偏。由于电子迁移率比空穴迁移率约大三倍，NMOS电路比PMOS电路速度快。NMOS电路为正电源供电，且N沟道MOS晶体管阈值电压较低，所以NMOS电路可与TTL电路（见晶体管-晶体管逻辑电路共同采用+5伏电源。相互间的输入、输出开关阈值可以彼此兼容，而不像PMOS电路需要特殊的接口电路。NMOS技术发展很快，其大规模集成电路的代表性产品是各种高速、低功耗、大容量的存储器和微处理器。
参考书目
Arthur B.Glaser, Gerald E.Subak－Sharpe,Integrated Circuit
Engineering Design,Fabrication and Applications，1st ed., Addison Wesley Pub.Co.,Reading, Massachusetts,1977.
NMOS工艺的特点是：①用硅栅结构实现栅同源、漏边界的自对准，以减小寄生电容；②用局部氧化方法使场区氧化层的底边下沉，既能保证为提高场阈电压所需的场氧化层的足够厚度，又能降低片子表面台阶的高度，防止铝层断裂；③用离子注入掺杂工艺可提高硅表面杂质浓度,精确控制MOS晶体管和寄生场晶体管的阈值电压。
硅栅NMOS电路也具有自隔离的特点。工作时,P型衬底连接最低电位，使所有PN结处于反偏或零偏。由于电子迁移率比空穴迁移率约大三倍，NMOS电路比PMOS电路速度快。NMOS电路为正电源供电，且N沟道MOS晶体管阈值电压较低，所以NMOS电路可与TTL电路（见晶体管-晶体管逻辑电路共同采用+5伏电源。相互间的输入、输出开关阈值可以彼此兼容，而不像PMOS电路需要特殊的接口电路。NMOS技术发展很快，其大规模集成电路的代表性产品是各种高速、低功耗、大容量的存储器和微处理器。
参考书目
Arthur B.Glaser, Gerald E.Subak－Sharpe,Integrated Circuit
Engineering Design,Fabrication and Applications，1st ed., Addison Wesley Pub.Co.,Reading, Massachusetts,1977.
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条