1) Pasveer oxidation ditch
帕式氧化沟
2) triple oxidation ditch
三沟式氧化沟
1.
The factors affecting phosphor removal efficiency of triple oxidation ditch;
影响三沟式氧化沟除磷效果的因素
2.
Technological Research of IC Anaerobic-Triple Oxidation Ditch for Piggery Wastewater;
猪场废水IC厌氧—三沟式氧化沟工艺技术研究
3.
It is showed by the study which was carried on at the lab that the influence of dye printing wastewater on COD removal and nitration by triple oxidation ditch is more evident than that of tannery wastewater.
本文以制革废水和印染废水为研究对象 ,在实验室小试的基础上 ,分析了制革废水和印染废水对三沟式氧化沟处理效果的影响。
3) hybrid oxidation ditch
复合式氧化沟
1.
New approach to treating urban wastewater by means of a hybrid oxidation ditch process;
复合式氧化沟工艺处理城市污水
2.
The experiment conditions of urban wastewater treatment by a model hybrid oxidation ditch were researched and reported.
采用复合式氧化沟工艺处理城市污水,并对系统的运行条件进行了探讨。
4) tri-trough oxidation ditch
三槽式氧化沟
1.
A bench scale tri-trough oxidation ditch was used to treat petrochemical wastewa ter.
论述了三槽式氧化沟处理石化废水的试验研究，试验结果表明：在系统开始时水力停留时间 过短不利于硝化，当运行稳定后，在１０ ｈ左右的水力停留时间时，三槽式氧化沟出水ＮＨ３－Ｎ浓度为２。
5) ICOD
一体式氧化沟
1.
Using coagulating and sedimentation+ABR+ICOD to dispose printing and dyeing waste water,the running results indicated when the waste water of CODcr was 1800～2000 mg/L,BOD5 was 400～500 mg/L,S2-was 0.
采用混凝沉淀+ABR+一体式氧化沟处理印染废水。
6) airlift oxidation ditch
气升式氧化沟
1.
Flow characteristic of a pilot scale airlift oxidation ditch;
气升式氧化沟流动特性的中试研究
2.
Wastewater treatment performance of a pilot-scale airlift oxidation ditch
气升式氧化沟污水处理效果的中试研究
补充资料：N沟道金属-氧化物-半导体集成电路
以 N沟道 MOS场效应晶体管为基本元件的集成电路，简称NMOS。NMOS电路于1972年才研制成功。NMOS电路发展的主要困难，是在普通的工艺条件下NMOS电路所用的衬底材料P型硅表面容易自然反型或接近反型,因而难以制成作为开关元件的增强型MOS晶体管,而且元件之间也不易隔离。NMOS电路工艺比PMOS电路（见P沟道金属-氧化物-半导体集成电路工艺复杂。一般情况下,NMOS电路采用性能良好的硅栅结构(见图)。衬底是轻掺杂的P型硅,栅的材料为多晶硅。一条多晶硅栅及其左右两个N型扩散区连同衬底组成一个N沟道 MOS晶体管。硅栅MOS结构中,铝线扩散线和多晶硅线均能作为内部联线，所以有三层布线。铝线同多晶硅线，铝线同扩散线可以交叉（如图左右两侧）。
NMOS工艺的特点是：①用硅栅结构实现栅同源、漏边界的自对准，以减小寄生电容；②用局部氧化方法使场区氧化层的底边下沉，既能保证为提高场阈电压所需的场氧化层的足够厚度，又能降低片子表面台阶的高度，防止铝层断裂；③用离子注入掺杂工艺可提高硅表面杂质浓度,精确控制MOS晶体管和寄生场晶体管的阈值电压。
硅栅NMOS电路也具有自隔离的特点。工作时,P型衬底连接最低电位，使所有PN结处于反偏或零偏。由于电子迁移率比空穴迁移率约大三倍，NMOS电路比PMOS电路速度快。NMOS电路为正电源供电，且N沟道MOS晶体管阈值电压较低，所以NMOS电路可与TTL电路（见晶体管-晶体管逻辑电路共同采用+5伏电源。相互间的输入、输出开关阈值可以彼此兼容，而不像PMOS电路需要特殊的接口电路。NMOS技术发展很快，其大规模集成电路的代表性产品是各种高速、低功耗、大容量的存储器和微处理器。
参考书目
Arthur B.Glaser, Gerald E.Subak－Sharpe,Integrated Circuit
Engineering Design,Fabrication and Applications，1st ed., Addison Wesley Pub.Co.,Reading, Massachusetts,1977.
NMOS工艺的特点是：①用硅栅结构实现栅同源、漏边界的自对准，以减小寄生电容；②用局部氧化方法使场区氧化层的底边下沉，既能保证为提高场阈电压所需的场氧化层的足够厚度，又能降低片子表面台阶的高度，防止铝层断裂；③用离子注入掺杂工艺可提高硅表面杂质浓度,精确控制MOS晶体管和寄生场晶体管的阈值电压。
硅栅NMOS电路也具有自隔离的特点。工作时,P型衬底连接最低电位，使所有PN结处于反偏或零偏。由于电子迁移率比空穴迁移率约大三倍，NMOS电路比PMOS电路速度快。NMOS电路为正电源供电，且N沟道MOS晶体管阈值电压较低，所以NMOS电路可与TTL电路（见晶体管-晶体管逻辑电路共同采用+5伏电源。相互间的输入、输出开关阈值可以彼此兼容，而不像PMOS电路需要特殊的接口电路。NMOS技术发展很快，其大规模集成电路的代表性产品是各种高速、低功耗、大容量的存储器和微处理器。
参考书目
Arthur B.Glaser, Gerald E.Subak－Sharpe,Integrated Circuit
Engineering Design,Fabrication and Applications，1st ed., Addison Wesley Pub.Co.,Reading, Massachusetts,1977.
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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