1) subsurface damage depth
损伤深度
1.
Experimental investigation on subsurface damage depth of ground silicon wafers in wafer-rotating grinding;
硅片自旋转磨削损伤深度的试验研究
2) Damaged zone depth
损伤层深度
3) fire injured depth
火灾损伤深度
4) damage depth of the surface
表面损伤深度
5) endometrial depth of thermal damage
子宫内膜热损伤深度
6) deep drawig damage model
深拉深损伤模型
补充资料：BCS穿透深度（BCSpenetrationdepth）
BCS穿透深度（BCSpenetrationdepth）
对纯超导体，由BCS电流方程，在伦敦极限下（`\xi_0\lt\lt\lambda`或$l\lt\lt\xi_0$）的穿透深度与伦敦穿透深度λL(T)相符。对非纯超导体（含杂质），在伦敦极限下为
$\lambda(T)=\lambda_L(T)(1 \xi_0//l)^{1/2}$
一般地，λL(T)由经验公式表示其与温度T的关系（见“伦敦穿透深度”）。在皮帕德极限下（$\xi_0\gt\gt\lambda$或$\xi_0\lt\ltl$），ξp=ξ0，则给出为
$\lambda(T)=\frac{8}{9}\lambda_L(T)[\frac{sqrt3\xi_0}{2\pi\lambda_L(T)}]^{1/3}$
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条