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1)  α-SiC film
α-SiC薄膜
2)  SiC films
SiC薄膜
1.
Study on the wear-resistance SiC films prepared by magnetron sputtering on steel;
钢基耐磨SiC薄膜制备研究
2.
Study of 3C-SiC and 4H-SiC films deposited using RF sputtering method;
射频溅射法制备3C-SiC和4H-SiC薄膜
3.
The retarding effects of SiC films on tritium permeation
SiC薄膜的阻氚性能研究
3)  SiC thin film
SiC薄膜
1.
Polysilynes, a new kind of high-performance materials, are reviewed on the present investigation of their synthesis, structure, reactions and applications as semiconductors, conductive SiC thin films, optical waveguides and photoresists.
本文综述了一类新型的高功能材料——聚硅炔的合成、结构、反应以及作为半导体、导电性SiC薄膜、光学波导器和光致抗蚀剂的应用的研究现状。
4)  SiC film
SiC薄膜
1.
Application of sputtering technology in the SiC film preparation;
溅射技术在制备SiC薄膜中的应用
2.
Effects of annealing temperature on surface morphology and structure of SiC film
退火温度对SiC薄膜表面形貌和结构的影响
3.
Mn-doped SiC films were grown by radio frequency magnetron sputtering on silicon substrate.
采用射频磁控溅射的方法在Si衬底上制备了掺Mn的SiC薄膜,用X射线衍射、傅里叶变换红外光谱、扫描电镜及荧光光谱等方法,对薄膜的结构、表面形貌、化学键状态和光学性能进行了研究。
5)  6H-SiC films
6H-SiC薄膜
1.
Heteroepitaxial growth and characterization of 6H-SiC films on C-plane sapphire substrates using LPCVD;
C面蓝宝石衬底上6H-SiC薄膜的低压化学气相外延生长与表征
6)  3C-SiC films
3C-SiC薄膜
1.
Influence of Temperature of Carbonization Gas Introduction on the Growth of 3C-SiC films;
碳化气体引入温度对3C-SiC薄膜生长的影响(英文)
补充资料:α,α,α,α',α',α'-六氯对二甲苯
分子式:C8H4Cl6
分子量:312.84
CAS号:68-36-0

性质:白色针状或粉末状结晶。熔点108-110℃。溶于二甲苯、石油醚、乙醇、植物油,不溶于水。无味,有特殊臭味,遇光、碱会缓慢分解而呈酸性。

制备方法:以混二甲苯为原料,先用98%硫酸磺化,使间二甲苯生成间二甲苯磺酸盐。从磺化反应物中分离出含邻、对二甲苯的油层,水洗、干燥,减压蒸馏出邻、对二甲苯。间二甲苯磺酸盐经水解可得副产品间二甲苯。由邻、对二甲苯经氯化即得1,4-双(三氯甲基)苯:在反应锅中投入邻、对二甲苯,再加入过氧化苯甲酰和三乙醇胺。加热到70℃后,在光照射下导入氯气,于70-80℃反应6h,再升温至100-120℃继续反应,至反应液相对密度达到1.560-1.580(65℃),即为反应终点,停止通氯,减压脱除余氯。降温至5℃,过滤,洗涤得粗品,重结晶,活性炭脱色得成品。

用途:抗血吸虫病药物。对肝吸虫病、阿米巴原虫病、疟疾以及肠道线虫有一定疗效。但对神经系统的不良反应较多见,且延迟反应持续较久。

说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条