1) lexical evolution
词汇嬗变
2) evolution of Ci styles
词风嬗变
3) The Change of Taste in Ci
词的审美嬗变
4) lexical deviation
词汇变异
1.
This paper attempts to explore into lexical deviation and its rhetorical effect from the following aspects:affixation,compounding,partial tone,conversion,nonce meaning,and loanwords.
词汇变异是英语语言变异的形式之一,它常被用于文学、广告、新闻等语篇。
2.
From the four aspects of nonce formation,nonce meaning,transformation of part of speech,unusual collocation,this thesis attempts to explore into lexical deviation and its stylistic effects with illustrations from the texts of Advanced English.
词汇变异是英语语言变异的形式之一,它常被用于诗歌、小说等文学语篇以及广告、日常口语等非文学语篇中。
3.
With adequate examples, this paper analyzes three forms of the lexical deviation used in advertising discourse, that is, parody, anagrammatical spelling and coinage.
本文就英文广告典型实例,剖析广告文体的词汇变异现象。
5) lexical change
词汇演变
1.
This article is intended to use the theory of prototype categories to illustrate the four ways of lexical change: generalization,specification,metaphor and semantic shift in terms of the interrelation of "words" and "categories".
运用典型范畴观,从“词”与“范畴”联系的角度重新阐释传统词汇语义学的词汇演变方式:词义扩大、词义缩小、隐喻构词和词义转移,同时讨论了这种研究方法的局限性以及解决的策略。
补充资料:半导体核嬗变掺杂
用一定能量的中子、带电粒子或γ射线等照射材料,通过选择的核反应在基体中生成原来不存在的新元素,达到半导体材料的掺杂目的。目前,只有中子嬗变掺杂(NDT)得到了实际应用。此方法的原理是K.拉克-霍罗维茨于1951年提出的。1974年成功地用核反应堆热中子对区熔硅进行核嬗变掺杂,首次生产了商品的中子嬗变掺杂硅。目前中子掺杂硅单晶已成为工业产品,产量逐年增加。
超纯硅在反应堆内主要同热中子发生如下核反应。此反应生成的稳定31P就是N型硅希望掺入的施主元素,经照射后达到的31P浓度N1(单位:厘米-3)可用公式
计算。式中N2为硅核30Si的数密度(厘米-3);σ为30Si的热中子辐射俘获截面(0.11靶恩);嗞为热中子注量率(厘米-2·秒-1);t为照射时间(秒)。
核嬗变掺杂的突出优点是掺杂精度高和引入的杂质分布均匀。但反应堆的快中子和γ射线还会同时在硅中造成许多辐照缺陷,使硅的物理性能发生显著变化。研究表明,为恢复硅的电学性能,需经800~900℃的退火处理。
半导体核嬗变掺杂的主要限制之一是残余放射性,对于中子掺杂区熔硅,这主要来源于放射性同位素32P(半衰期为14.3天) 。因此,照射后的样品需经一定时间的辐射冷却,方可作为非放射性材料操作。
目前,对核嬗变掺杂的研究主要集中在辐照技术、辐照缺陷的本质和退火行为以及扩大应用的可能性等问题。
超纯硅在反应堆内主要同热中子发生如下核反应。此反应生成的稳定31P就是N型硅希望掺入的施主元素,经照射后达到的31P浓度N1(单位:厘米-3)可用公式
计算。式中N2为硅核30Si的数密度(厘米-3);σ为30Si的热中子辐射俘获截面(0.11靶恩);嗞为热中子注量率(厘米-2·秒-1);t为照射时间(秒)。
核嬗变掺杂的突出优点是掺杂精度高和引入的杂质分布均匀。但反应堆的快中子和γ射线还会同时在硅中造成许多辐照缺陷,使硅的物理性能发生显著变化。研究表明,为恢复硅的电学性能,需经800~900℃的退火处理。
半导体核嬗变掺杂的主要限制之一是残余放射性,对于中子掺杂区熔硅,这主要来源于放射性同位素32P(半衰期为14.3天) 。因此,照射后的样品需经一定时间的辐射冷却,方可作为非放射性材料操作。
目前,对核嬗变掺杂的研究主要集中在辐照技术、辐照缺陷的本质和退火行为以及扩大应用的可能性等问题。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条