1) extension of emotional intelli-gence
情绪智力外延
2) emotional intelligence
情绪智力
1.
Research progress on emotional intelligence test of nursing specialty students;
护理专业学生情绪智力测评研究进展
2.
New Exploration on Emotional Intelligence Training of Higher Vocational Students;
高职生情绪智力培养新探
3.
An Empirical Research on Manager’s Behavior Emotional Intelligence Model and Its Validity;
管理者情绪智力行为模型及其有效性的实证研究
3) emotion intelligence
情绪智力
1.
Research on the Effect of Emotion Intelligence Cultivating on Physics Inquring Learning in Senior High School;
情绪智力培养对高中物理学习的影响研究
2.
Relating his own experience,the author mainly discusses the specific utilization of multimedia technology in high school mathematics teaching from five aspects:cultiviting students emotion intelligence,abstract thinking ability,operating ability,solving problem ability initiatively,and utilizing fully internet technological magic.
本文简要论述了多媒体的三大特征 ,并结合作者的亲身体会 ,着重从培养学生的情绪智力、抽象思维能力、动手操作能力、自主解决问题的能力 ,以及充分利用网络技术的魔力等五个方面论述了多媒体技术在辅助中学数学教学中的具体运
3.
Since the defition of“emotion intelligence”(EI) was born in the 1990’s, people have more and more realized its importance to their study and life.
自上世纪90年代“情绪智力”概念产生以来,人们越来越认识到它对一个人的学习、生活的重要性。
4) the ability model of EI
能力型情绪智力
1.
The results suggest that:(1) only the openness dimension among the Big Five affects the academic satisfaction dramatically;(2) The mixed model and the ability model of EI are different from each other,because only the ability-based EI mediates the relationship between openness and academic satisfaction,but the mixed model-based EI doesn\'t mediate the above relationship.
结果表明:(1)大五人格因素中只有开放性维度对学业满意度存在显著影响;(2)能力型情绪智力在开放性与学业满意度之间的关系中起完全中介的作用,而混合型情绪智力则没有在上述两者之间关系中起到中介作用。
5) Ability Emotional Intelligence
能力情绪智力
6) emotional intelligence measurement
情绪智力测量
补充资料：半导体外延生长
半导体外延生长
epitaxial growth of semiconductors
半导体外延生长即itaxial盯owth of semieon.ductors将衬底的结晶结构延伸到沉积层中形成有源层的技术。在半导体材料和器件的早期发展中已发现，用体单晶进行扩散或离子注入等方法形成薄膜作为有源层时，难以控制它们的浓度、厚度、结晶性能和电学性质等。因此，在20世纪60年代发展了外延工艺。外延是用单晶层沉积在单晶衬底表面上，并使衬底的结晶结构延伸到沉积层中。当沉积层和衬底是同种材料时称为同质外延，如GaAs层沉积在GaAs衬底上;而当沉积层与衬底不是同种材料时，则称为异质外延，如GaAIAs层沉积在GaAs衬底上。 外延条件与特征根据外延的定义，通常需要满足两个条件:①外延层和衬底的晶体结构必须具有相同的结晶空间群;②外延层和衬底的晶格参数必须尽量匹配。所谓尽量匹配，至今尚无定论，但有一般规律。如果晶格失配度定义为 。=(aL一隽)/aAv，(式中al_和绳分别为外延层和衬底的晶格参数，吸v为其平均值)，则当。蕊10一时，外延生长将使外延层产生晶格变形，以便穿越衬底和外延层，保持真正的晶格平面连续性;当:>10一时，则界面将产生失配位错等缺陷，以调节衬底和外延层之间存在的晶格失配和增加外延层成核困难的趋势。 与体单晶生长相比，外延生长具有下列优点:①外延温度比体单晶的熔点低，可减少杂质沾污;②可采用经过提纯的高纯原料，提高半导体的纯度;③可实现异质外延;④可制备多层和超薄层，甚至超晶格和原子层结构材料;⑤可控制外延层厚度、掺杂浓度和改变导电类型等。 外延方法及制备近10年来，外延生长的工艺和理论都有很大进展。选择合适的外延方法，不但可以获得高纯度、低位错、突变界面、高生产率、高均匀性和良好重复性的半导体材料，而且能够进行单原子层的外延，即所谓原子层外延(ALE)和原子层掺杂。后者为研究突变界面结构材料和在原子级水平上理解同质和异质外延的机理提供十分重要的信息。 随着半导体异质结制备，大面积集成、光电集成、超晶格与相应结构的发明和创造，使半导体材料、器件及电路进入新的水平，而这些结构只能用外延方法制备。常用的外延方法主要有4种:①气相外延(VPD。在51外延中常称化学气相沉积(CVD)。VPE与CVD的区别在于后者既包括外延又包括非外延。在VPE中反应物在流动气流中输运至衬底，然后进行沉积。金属有机化合物气相外延(MOVPE)是VPE中一种较新的工艺。
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参考词条