1)  cultural attitude
文化态度嬗变
2)  culture
文化
1.
Science and Technology Change Lives,Culture Directs Trends On Cultural factors of Television Cabinet evolution;
科技改变生活 文化领导潮流——家居电视柜变迁的文化基因
2.
The influence of economy and culture during the Tang Dynasty on clothing style;
探讨唐代经济文化对服饰的影响
3)  civilization
文化
1.
The development of Chinese classical architecture is not only inflnenced by station, climate and natural resources, but also by the Chinese civilization.
中国古建筑采用木构体系,除地理、气候、资源等原因外,还受到中国文化的深刻影响,并在中国文化稳定性的影响下得以延续发展,中国文化的兴衰决定了木构建筑的兴衰。
2.
Based on the needs of the city construction and spirit lives, a notion of new civilization square is proposed in this paper, and it improves a long range development space civilization of human city.
根据城市建设及精神生活的需要,提出新型的文化空间的概念,促使人类城市空间文化持续性发展。
3.
Buddhism is a main composition in ancient civilization of China, bamboo is also major symboliza-tion.
佛教是中国古代文化很重要的组成部分,竹子也是中国古代文明的一大象征。
4)  cultural
文化
1.
Banana s Cultural Connotations and Its Application in Traditional Gardens;
芭蕉的文化意蕴及在传统园林中的应用
2.
Cultural Explication of the Uygur s Eating Nang Convention;
维吾尔族食馕习俗的文化解说
3.
University s Collar Play in Cultural Construction;
浅析大学在文化建设中的引领作用
5)  The Culture
文化
1.
The intention of this study is to explore the color how to reflect the culture and how relationgship between culture and color.
某些颜色词除能表达所固定颜色意义外,还具有丰富的文化内涵。
2.
The culture of mirror image is a kind of characteristic content in the culture history of china.
镜象文化是中国文化史上一项独具个性的内容。
6)  cultures
文化
1.
Silence is one of the most important parts of daily communication,yet it means otherwise in different cultures.
沉默是日常交际中重要的组成部分,然而不同文化中沉默具有不同的含义。
2.
This paper compares and analyzes the differences between English and Chinese cultures,which lead to the causes and representations of the discrepancy.
语言与文化关系密切,不同语言的表现形式反映了不同民族的文化特点。
参考词条
补充资料:半导体核嬗变掺杂
      用一定能量的中子、带电粒子或γ射线等照射材料,通过选择的核反应在基体中生成原来不存在的新元素,达到半导体材料的掺杂目的。目前,只有中子嬗变掺杂(NDT)得到了实际应用。此方法的原理是K.拉克-霍罗维茨于1951年提出的。1974年成功地用核反应堆热中子对区熔硅进行核嬗变掺杂,首次生产了商品的中子嬗变掺杂硅。目前中子掺杂硅单晶已成为工业产品,产量逐年增加。
  
  超纯硅在反应堆内主要同热中子发生如下核反应。此反应生成的稳定31P就是N型硅希望掺入的施主元素,经照射后达到的31P浓度N1(单位:厘米-3)可用公式
  计算。式中N2为硅核30Si的数密度(厘米-3);σ为30Si的热中子辐射俘获截面(0.11靶恩);嗞为热中子注量率(厘米-2·秒-1);t为照射时间(秒)。
  
  核嬗变掺杂的突出优点是掺杂精度高和引入的杂质分布均匀。但反应堆的快中子和γ射线还会同时在硅中造成许多辐照缺陷,使硅的物理性能发生显著变化。研究表明,为恢复硅的电学性能,需经800~900℃的退火处理。
  
  半导体核嬗变掺杂的主要限制之一是残余放射性,对于中子掺杂区熔硅,这主要来源于放射性同位素32P(半衰期为14.3天) 。因此,照射后的样品需经一定时间的辐射冷却,方可作为非放射性材料操作。
  
  目前,对核嬗变掺杂的研究主要集中在辐照技术、辐照缺陷的本质和退火行为以及扩大应用的可能性等问题。
  

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