1) Dislocation charge
位错电荷
2) charge potential
电荷电位
3) charged dislocation
带电位错
4) shift of binding energy
荷电位移
5) charge localization
电荷定位
1.
The charge localization and its affection on the stability of the ion were discussed.
本文用半经验量子化学方法MNDO研究了由联苯衍生物产生的[C12H8]2+双电荷离子的结构,讨论了其中的电荷定位和影响离子稳定性的因素,双电荷离子的两个电荷分别定位于两个苯环上,表明该离子是由联苯衍生物经两步反应产生。
6) electric charge displacement
电荷位移
补充资料:不全位错
不全位错
partial dislocation
不全位错partial disloeation伯格斯矢量不是晶格恒同平移矢量的位错。它是堆垛层错的边界,也即是层错与完整晶体部分的分界线。以fcc晶格为例,最常。二‘。一‘,,,、~,,一一,、,、二加,‘爪1,,,八、~,.I见的是在{111}类型的面上通过操作:①告<112>类型2.“J~阵、“‘,~~曰刁~一~一一’「‘~6、““’~~滑移;②抽去一个{111}层,并使上下两岸复合;③插入一个{111}层。这3种操作均造成层错,此层错的边界即是不全位错。分别称为肖克利不全位错, 1‘,,。、0=~不Lll乙J O负弗兰克不全位错,正弗兰克不全位错,。一告〔“‘〕。一奇〔“‘〕。 不全位错复杂之处在于它必然与层错相联系而存在,所以它的形式和运动均受层错之制约。例如上述肖克利不全位错只能在{111}面上作滑移,而弗兰克不全位错根本不能滑动。除fcc晶体外,在hcp、bcc、金刚石结构及其他许多实际晶体中,不全位错是很常见的。一个全位错可以分解为两个或多个不全位错,其间以层错带相联,通常称为扩展位错。 (杨顺华)
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参考词条