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1)  BaTiO_3 crystal
BaTiO_3晶体
1.
The dependence of self-pumped phase conjugate refleetivity upon various experimental conditions (incident angle, incident position, incident wave length and light power) are obtained in BaTiO_3 crystal.
本文研究了BaTiO_3晶体的自泵浦位相共轭现象,得到了自泵浦位相共轭反射率随泵浦光的入射角、入射点位置以及泵浦光的波长和强度等参量变化的实验规律,并通过求解含有吸收项的耦合波方程对实验结果进行解释。
2)  BaTiO_3 single crystal
BaTiO_3单晶
1.
Investigation on electro-strain effect in Rh-doped BaTiO_3 single crystals;
掺铑BaTiO_3单晶场致应变特性的研究
2.
Domain switching and propagation of an unloaded indentation crack for BaTiO_3 single crystal under residual stress and applied stress in humid air and water have been in situ investigated.
原位研究了残余应力和外加应力导致 BaTiO_3单晶压痕裂纹在湿空气和水中的滞后扩展及畴变。
3.
Effect of humidity on domain switching behaviors in BaTiO_3 single crystal under sustained electric field were investigated by polarized light microscopy(PLM).
通过偏振光显微镜观察了在恒电场作用下湿空气对BaTiO_3单晶畴变的影响。
3)  BaTO 3 crystallite
BaTiO_3晶粒
4)  barium titanate nanocrystalline
BaTiO_3纳米晶
5)  fine barium titanate powder
BaTiO_3粉体
6)  BaTiO3 solid solutions
BaTiO_3固溶体
补充资料:晶体管-晶体管逻辑电路
晶体管-晶体管逻辑电路
transistor-transistor logic
    集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路(DTL)中的二极管,改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功,基本门电路的结构和元件参数,经历了3次大的改进。同DTL电路相比,TTL电路速度显著提高,功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品,就使开关速度比DTL电路提高5~10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路,开关时间可缩短到3~5纳秒。绝大部分双极型集成电路,都是TTL电路产品。
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参考词条