1) nonlinear activation function
非线性激励函数
3) non-monotonous activation function
非单调激励函数
1.
Referring to the monotonous activation function of chaotic neural network,we present a novel transient chaotic-neuron model by introducing the Shannon wavelet and the Sigmoid activation function to compose the non-monotonous activation function.
针对混沌神经网络的单调的激励函数,通过引入Shannon小波和Sigmoid函数加和组成的非单调激励函数,提出了一种新型的暂态混沌神经元模型。
4) activation function
激励函数
1.
Studies on the activation functions of BP algorithm;
BP网络激励函数的研究
2.
The paper proposes a new kind of NARX network, which has trainable activation functions in addition to only trainable weights in the conventional NARX networks.
提出了一种隐层神经元激励函数可调的具有外部输入的非线性回归(NARX)神经网络,它在进行权值调整的同时,还对各隐层神经元激励函数的参数进行自适应调节;并推导出激励函数参数的学习算法,从而使NARX神经网络更符合生物神经网络。
3.
Previous learning algorithms, to our best knowledge, failed to take advantage of all three factors (weights, activation functions, topological structure) that influence the efficiency of such algorithms.
该算法综合考虑了影响神经网络性能的３个主要因素：权值、激励函数和拓扑结构。
5) active function
激励函数
1.
In this paper, an algorithm in which active function is improved is proposed through analyzing the conventional BP algorithm, and different learning rates are used to increase the learning speed in each layer.
通过对传统BP算法的分析,提出了一种改进激励函数的学习方法,并且在神经网络的每一层采用不同的学习速率,以提高训练速度;采用所提出的改进BP算法,训练多层前向神经网络,建立机械手逆运动学模型,仿真结果表明了该算法的有效性;与传统BP算法相比,大大提高了机械手逆运动学的精度。
2.
The circuit of active function is introduced.
介绍其中的一种Sigmoid激励函数电路实现,该电路以差分器件为主要部分,通过调整相应的参数可以调节输入电压的范围和改变激励函数的增益,并在EDA环境下仿真验证了电路的有效性。
6) excitation function
激励函数
1.
Minimization technique of J and K excitation functions based on behaviors of flip-flop;
基于触发行为的J、K激励函数的最小化技术
2.
By this method, secondary state equations based on the state table are compared with the standard secondary state equations of the flip-flop used in the circuits, and then the excitation functions of flip-flop can be directly acquired.
该方法从状态表中获得次态方程 ,然后将所获得的次态方程与所用触发器的标准次态方程联立比较而直接得到触发器的激励函数。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条