1) the optima non-linear estimator
最佳非线性估计式
2) best linear estimator
最佳线性估计器
3) Best Linean Minimum Bias Estimator
最佳线性最小偏倚估计
4) Nonlinear optimal estimation
非线性最优估计
5) Best linear unbiased estimator
最佳线性无偏估计
1.
and others discussed the best linear unbiased estimator for the logistic population.
等又先后讨论了Logistlic分布参数的最佳线性无偏估计及估计的相对效率等问题。
2.
Based on Gauss-Markov model this paper disscusses the robustness of best linear unbiased estimator and proves that there is a linear space with matrix elements in which for all positive matrix Π,p′(X′Π-1X)-X′Π-1Y is BLUE of estimable function p′β.
基于Gauss-Markov模型讨论了最佳线性无偏估计的稳健性,证明了存在一个以矩阵为元素的线性空间,对于这一线性空间中的任意正定矩阵Π都满足p′(X′Π-1X)-X′Π-1Y是可估函数p′β的最佳线性无偏估计。
6) best linear unbiased estimation
最佳线性无偏估计
1.
In this paper,the best linear unbiased estimation,good linear unbiased estimation,best linear invariant estimation to the parameters of Gumbel distribution are discussed,and then the expectation and variance-covariance are put forward respectively.
用最佳线性无偏估计法、简单线性无偏估计法和最好线性同变估计法对Gumbel分布中的参数进行估计,从理论上讨论了三种估计方法的统计性质。
2.
According to the principle of best linear unbiased estimation,A target localization algorithm for bistatic radar was proposed by pseudo measuring value after coordinate conversion.
利用坐标转换后的伪测量值,根据最佳线性无偏估计原理,提出一种双基地雷达目标的定位方法并给出了算法定位误差的Cramer-Rao理论下限表达式,在不同噪声条件下对算法进行仿真计算,结果表明该方法可以显著提高双基地雷达目标的定位精度,其理论下限和仿真结果都明显优于最小二乘方法。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条