2) RTD/HEMT type RTT
RTD/HEMT型RTT
3) AlGaN/GaN HEMTs
AlGaN/GaN HEMT
1.
AlGaN/GaN HEMTs Power Amplifier MIC with Powercombining at C-Band;
基于AlGaN/GaN HEMT的C波段功率放大器混合集成电路的设计
2.
AlGaN/GaN HEMTs Power Amplifier MIC with Power Combining at C-Band;
基于AlGaN/GaN HEMT的C波段混合集成功率合成放大器的设计(英文)
3.
Performance of AlGaN/GaN HEMTs with Different Layout;
AlGaN/GaN HEMTs器件布局对器件性能影响分析
4) Si /Si1-xGex HEMT
Si/Si1-xGex HEMT
5) HEMT oscillator
HEMT振荡器
1.
A compact Ku-band HEMT oscillator has been designed using Agilent Advanced Design System(ADS).
采用ADS设计了一种Ku波段的小型化HEMT振荡器,采取了共栅电路形式。
6) HEMT device
HEMT器件
1.
HEMT device was used in this 3-stage amplifier.
该放大器采用HEMT器件三级级联,频率范围为8 500MHz~8 850 MHz,在环境温度大约20K的环境下,噪声温度小于11K,输入输出回波损耗小于-25dB,功耗小于25mW,0~40GHz内无条件稳定。
补充资料：材料界面(见材料表面)
材料界面(见材料表面)
interface of materials
材料界面interfaee of materials见材料表面。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条